[发明专利]快闪存储器的缺陷检测方法、耐久测试方法和制造方法有效
| 申请号： | 201710241890.9 | 申请日： | 2017-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN107039089B | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | 徐涛;曹子贵;谢中华;钱亮;陈宏;王卉 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/44 | 分类号： | G11C29/44;G11C29/50 |
| 代理公司： | 31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种快闪存储器的缺陷检测方法、耐久测试方法和制造方法，所述缺陷检测方法和耐久测试方法，通过选择快闪存储器芯片的奇数扇区或者偶数扇区来进行擦除，可以使快闪存储器芯片中的浅沟槽隔离结构中的多晶硅残留与相邻的至少一条字线短接或者由于被擦除而带正电荷，并在多晶硅残留带正电荷后施加更大的编程电流以及更长的编程时间来进行编程串扰测试，从而将快闪存储器中具有多晶硅残留的存储单元以编程串扰失效的形式快速、有效地检测出来，从而避免了后续产品在使用过程中所出现的可靠性问题。所述制造方法能够根据所述缺陷检测方法或所述耐久测试方法的结果来调整制造工艺参数，避免浅沟槽隔离结构中出现空洞缺陷，提高产品可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 缺陷 检测 方法 耐久 测试 制造 | ||
【主权项】：
1.一种快闪存储器的缺陷检测方法，其特征在于，包括：/n选择快闪存储器的奇数扇区或选择所述快闪存储器的偶数扇区，并采用一定的编程电流和一定的编程时间来进行擦除；/n所述擦除的应力使所述快闪存储器中相应的浅沟槽隔离结构中的多晶硅残留与相邻的至少一条字线短接，以检测出具有多晶硅残留的存储单元；/n或者，所述擦除的应力使所述快闪存储器中位于相邻扇区之间的浅沟槽隔离结构中的多晶硅残留由于被擦除而带正电荷，并在所述多晶硅残留带正电荷后施加比所述一定的编程电流更大的编程电流以及比所述一定的编程时间更长的编程时间来进行编程串扰测试，根据所述编程串扰测试结果，检测出具有多晶硅残留的存储单元。/n
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