[发明专利]半导体元件制造方法在审
| 申请号： | 201710203411.4 | 申请日： | 2017-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN108122825A | 公开（公告）日： | 2018-06-05 |
| 发明（设计）人： | 吴啟明;吴政达 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体元件制造方法，包含在介电层中形成开口以暴露出基材中的导电区。此半导体元件制造方法进一步包含将掺杂材质的共形层沉积于开口的侧壁与介电层的表面上。此方法进一步包含，通过退火程序，将掺杂材质的共形层的掺杂质扩散进介电层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体元件制造 介电层 共形层 掺杂 开口 退火程序 掺杂质 导电区 侧壁 基材 沉积 扩散 暴露 | ||
【主权项】：
一种半导体元件制造方法，其特征在于，包含：于一介电层中形成一开口以暴露一基材中的一导电区；沿该开口侧壁与该介电层的一上表面沉积具掺杂材料的一共形层；以及通过一退火程序，使具掺杂材料的该共形层的掺杂质扩散进该介电层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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