[发明专利]半导体元件、半导体基底及其形成方法有效
| 申请号： | 201710201928.X | 申请日： | 2017-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN108198855B | 公开（公告）日： | 2020-09-11 |
| 发明（设计）人： | 薛芳昌;林恒光 | 申请（专利权）人： | 新唐科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/20 | 分类号： | H01L29/20;H01L29/26;H01L29/06;H01L29/778;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 王涛;汤在彦 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体元件、半导体基底及其形成方法。半导体基底包括第一含硅层、单晶态III‑V族化合物半导体层以及非晶态III‑V族化合物半导体层。第一含硅层具有第一区以及第二区。单晶态III‑V族化合物半导体层配置于第一区的第一含硅层上。非晶态III‑V族化合物半导体层配置于第二区的第一含硅层上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 基底 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体基底，其特征在于，包括：一第一含硅层，具有一第一区以及一第二区；以及一单晶态III‑V族化合物半导体层，配置于所述第一区的所述第一含硅层上；以及一非晶态III‑V族化合物半导体层，配置于所述第二区的所述第一含硅层上。
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