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[发明专利]基于蓝宝石衬底外延的准垂直器件及其制备方法-CN202311201390.4在审
发明人：张泽雨林;张春福;刘丁赫;陈大正;赵胜雷;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-09-18 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L29/267 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于蓝宝石衬底外延的准垂直器件及其制备方法，包括：衬底；p型氧化物异质外延层，位于衬底上；氧化镓外延层，位于p型氧化物异质外延层上；p型氧化物异质外延层与氧化镓外延层共同组成复合栅结构；阴极金属，位于氧化镓外延层上；阳极金属，位于p型氧化物异质外延层上，且至少部分环绕氧化镓外延层；通过阴极金属和阳极金属向复合栅结构施加偏置电压；其中，p型氧化物异质外延层、阳极金属、氧化镓外延层和阴极金属共同组成异质pn结准垂直器件。本发明能够扩大氧化镓外延薄膜器件的应用范围。
基于蓝宝石衬底外延垂直器件及其制备方法

[发明专利]半导体结构及其制备方法、半导体器件及半导体晶圆-CN202310801556.X在审
发明人：樊永辉;朱雷;刘国梁;何溢勇;许明伟;樊晓兵 -专利权人：深圳市汇芯通信技术有限公司
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L29/267 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构及其制备方法、半导体器件及半导体晶圆。半导体结构，包括第一结构层及第二结构层。第一结构层的材料为金刚石，第二结构层的材料为AlN，第一结构层和第二结构层形成异质结结构。上述异质结结构，在第一结构层和第二结构层的界面处形成二维电子气，与传统的半导体器件依靠半导体材料中的自由电子从N型半导体向金属移动来实现半导体器件的导通相比，本申请提供的半导体结构中，第一结构层与第二结构层的界面处形成的二维电子气具有更高的电子迁移率和更高的电子密度，使得半导体器件具有更高的电流密度和更高的输出功率、更快的开关速度、更低的正向导通压降、更低的反向电流及更高的工作电压。
半导体结构及其制备方法半导体器件

[发明专利]碳化硅与硅异质结的LDMOS器件及制造方法-CN202311096893.X在审
发明人：张同;刘芳;吴波;邓永峰;王凯;孟庆萌;常泽洲 -专利权人：北京智芯微电子科技有限公司;国网山西省电力公司;国网山西省电力公司电力科学研究院;国家电网有限公司
申请日： 2023-08-29 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L29/267 文献下载
摘要：本发明涉及半导体领域，提供一种碳化硅与硅异质结的LDMOS器件及制造方法。所述LDMOS器件包括：硅衬底、第一导电类型阱区、第二导电类型体区、第一导电类型漂移区、源区、漏区以及栅极结构，还包括：第二导电类型埋层；第二导电类型埋层和第二导电类型体区的材料均为硅，第一导电类型漂移区和漏区的材料均为碳化硅；第一导电类型漂移区与第二导电类型埋层纵向相接，以在导电状态时在纵向相接的界面区域形成碳化硅与硅的异质结；第一导电类型漂移区与第二导电类型体区横向相接，以在导电状态时在横向相接的界面区域形成碳化硅与硅的异质结。本发明利用纵向和横向的双异质结，提高器件的击穿电压，提升载流子迁移率，降低导通电阻。
碳化硅硅异质结 ldmos 器件制造方法

[发明专利]基于氮化镓-氧化镓-氮化镓极化效应的隧穿场效应晶体管及其制备方法-CN202310689701.X在审
发明人：关云鹤;窦禛;路嘉辰 -专利权人：西安邮电大学
申请日： 2023-06-12 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L29/267 文献下载
摘要：本发明涉及基于氮化镓‑氧化镓‑氮化镓极化效应的隧穿场效应晶体管及其制备方法；解决现有隧穿场效应晶体管存在发生隧穿的面积有限，开态电流较小的问题；晶体管包括依次设置的衬底、源区、Ga2O3层、本征区以及漏区；本征区的左右两侧均由内至外依次设置有栅氧化层和金属栅；漏区上方设置有漏电极，源区下方设置有源电极；源区和本征区均采用氮化镓材料，从而在源区和Ga2O3层之间，Ga2O3层和本征区之间形成异质结；源区和本征区、漏区的掺杂类型相反；在源区和本征区之间加入了一个Ga2O3层，使得P‑N结相较于N‑I结的耗尽区更窄，隧穿结的电场更大，能带弯曲更陡峭，隧穿几率增大，开态电流得到明显提升，从而获得更好的开关电流比和更小的亚阈值摆幅。
基于氮化氧化极化效应场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]一种金刚石氧化镓异质结二极管及其制备方法-CN202310162534.3在审
发明人：冯欣;叶安琪;周弘;任泽阳;张苇杭;刘志宏;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学广州研究院;西安电子科技大学
申请日： 2023-02-24 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L29/267 文献下载
摘要：本发明公开了一种金刚石氧化镓异质结二极管及其制备方法，属于半导体技术领域。所述二极管包括金刚石衬底、绝缘层、第一阴极金属层、氧化镓薄膜、阳极金属层以及第二阴极金属层。第一阴极金属层设置于绝缘层和氧化镓薄膜之间，因此在所述二极管制作过程中，氧化镓薄膜转移到金刚石衬底的步骤能够在其它工艺结束后进行，其接触质量不会因受其他工艺步骤影响而降低；氧化镓薄膜与金刚石衬底可以形成异质PN结并解决氧化镓散热差的问题，同时增加二极管功率优值，降低二极管的功率损耗。
一种金刚石氧化镓异质结二极管及其制备方法

[发明专利]CNT-IGZO薄膜异质结双极晶体管及其制备方法和应用-CN201911242907.8有效
发明人：江潮;樊园;王彦杰 -专利权人：国家纳米科学中心
申请日： 2019-12-06 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01L29/267 文献下载
摘要：本发明公开了一种CNT‑IGZO薄膜异质结双极晶体管及其制备方法和应用，其包括IGZO层和覆盖在所述IGZO层表面的CNT薄膜；制备方法包括，采用射频磁控溅射法制备IGZO层作为沟道材料，采用溶液滴涂法在IGZO层表面沉积CNT薄膜。本发明将采用射频磁控溅射法制备得到的IGZO的上表面非常平整，其粗糙度0.2nm，将P型CNT薄膜直接沉积在IGZO表面，使得P型有机半导体可以和N型氧化物半导体的电性能相接近，相对于现有技术而言，有效提高了该双极晶体管的电性能，且可以实现大面积阵列化，有很大的应用前景。
cnt igzo 薄膜异质结双极晶体管及其制备方法应用

[发明专利]碳化硅外延结构及其制造方法-CN202111004799.8有效
发明人：王群;葛永晖;王江波;董彬忠;李鹏 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2021-08-30 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L29/267 文献下载
摘要：本公开提供了一种碳化硅外延结构及其制造方法，属于半导体技术领域。所述碳化硅外延结构包括基底以及依次层叠在所述基底上的界面处理层、成核层和SiC厚层，所述基底包括多个周期交替生长的GaN层和AlN层，所述界面处理层包括依次层叠的第一子层和第二子层，所述第一子层为未掺杂的SiC层，所述第二子层为掺Si的SiC层，所述成核层为表面具有多个三角锥状凸起的SiC层，所述SiC厚层的厚度为80～100um。采用该碳化硅外延结构可以生长较厚的SiC层，并保证生长出的SiC外延结构的质量。
碳化硅外延结构及其制造方法

[发明专利]GaN衬底晶体管器件及其制备方法-CN202211664061.9在审
发明人：李京波;孙一鸣;王小周 -专利权人：浙江芯科半导体有限公司
申请日： 2022-12-22 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L29/267 文献下载
摘要：本申请公开了GaN衬底晶体管器件及其制备方法，其中，GaN衬底晶体管器件，包括：GaN衬底，具有第一表面和第二表面；SiNx薄膜，形成在GaN衬底的第一表面；栅电极，形成在GaN衬底的第二表面；Te材料层，形成在SiNx薄膜的表面；源电极，形成在Te材料层上；漏电极，形成在Te材料层上。本申请中，SiNx薄膜相比于SiO2的介电常数高，可以避免在施加电场的作用下，电子聚集在栅层，可以有效降低栅极电流的泄露，提高GaN器件的抗击穿能力和器件稳定性；使用GaN与Te构成的晶体管，由于Te材料具有较高的载流子迁移率，同时具有偏振的效果，可大幅度提高晶体管的性能。
gan 衬底晶体管器件及其制备方法

[发明专利]二维SnSe-SnSe2-CN202010187667.2有效
发明人：周兴;翟天佑 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2020-03-17 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H01L29/267 文献下载
摘要：本发明属于纳米半导体材料领域，并具体公开了一种二维SnSe‑SnSe2 p‑n异质结及其制备方法，包括如下步骤：S1将碘化亚锡和硒粉混合获得前驱体，将该前驱体加热生成SnSe2晶体材料，通入载气将所述SnSe2晶体材料带至衬底处，使其在衬底上进行沉积，以此形成二维SnSe2晶体材料；S2将所述二维SnSe2晶体材料进行加热，使其在高温下部分分解原位得到SnSe‑SnSe2 p‑n异质结。本发明能够降低反应温度，减小制备过程中的能耗，同时克服了湿化学和机械合成的难题，实现二维层状材料的可控制备。
二维 snse base sub

[发明专利]基于束缚电荷增强2DEG的氧化镓异质结结构和异质结器件-CN202110414348.5有效
发明人：马晓华;陆小力;郑雪峰;王志成;何云龙;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-04-16 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L29/267 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于束缚电荷增强2DEG的氧化镓异质结结构和异质结器件，该异质结结构包括：自下而上依次层叠设置的Ga2O3层、第一半导体层和第二半导体层，其中，第一半导体层的禁带宽度大于Ga2O3层的禁带宽度；第二半导体层的介电常数小于第一半导体层的介电常数。本发明的基于束缚电荷增强2DEG的氧化镓异质结结构，将低介电常数的半导体材料与AlN/Ga2O3异质结结构结合，通过在低介电常数的半导体材料上施加正向电场来产生束缚电荷和AlN的极化电荷联合，从而诱导AlN/Ga2O3异质结界面的二维电子气浓度增大。
基于束缚电荷增强 deg 氧化镓异质结结构异质结器件

[实用新型]环绕式栅极场效晶体管-CN202222044150.5有效
发明人：何焱腾;陈乃榕 -专利权人：瑞砻科技股份有限公司
申请日： 2022-08-04 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L29/26 文献下载
摘要：本实用新型是一种环绕式栅极场效晶体管，包含有一基板、至少一通道层、一源极、一漏极、一栅极、至少一介电层以及一绝缘层；该通道层位于该基板上方且包含有一第一层与一第二层，该第一层是由第一二维半导体材料所形成，该第二层是由第二二维半导体材料所形成且覆盖于该第一层的表面，该第二二维半导体材料的能隙小于该第一二维半导体材料的能隙，该通道层具有二端部分别与该源极及该漏极连接，该栅极位于该源极与该漏极之间且包围该通道层，该介电层是介于该栅极与该通道层之间，该绝缘层是介于该栅极与该源极之间，且介于该栅极与该漏极之间。借此，本实用新型可有效提升二维半导体材料通道层的载子迁移率，以提升环绕式栅极场效晶体管的效能。
环绕栅极晶体管

[发明专利]环绕式栅极场效晶体管-CN202210934332.1在审
发明人：何焱腾;陈乃榕 -专利权人：瑞砻科技股份有限公司
申请日： 2022-08-04 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L29/26 文献下载
摘要：本发明是一种环绕式栅极场效晶体管，包含有一基板、至少一通道层、一源极、一漏极、一栅极、至少一介电层以及一绝缘层；该通道层位于该基板上方且包含有一第一层与一第二层，该第一层是由第一二维半导体材料所形成，该第二层是由第二二维半导体材料所形成且覆盖于该第一层的表面，该第二二维半导体材料的能隙小于该第一二维半导体材料的能隙，该通道层具有二端部分别与该源极及该漏极连接，该栅极位于该源极与该漏极之间且包围该通道层，该介电层是介于该栅极与该通道层之间，该绝缘层是介于该栅极与该源极之间，且介于该栅极与该漏极之间。借此，本发明可有效提升二维半导体材料通道层的载子迁移率，以提升环绕式栅极场效晶体管的效能。
环绕栅极晶体管

[发明专利]晶体层叠结构体-CN201910308044.3有效
发明人：佐佐木公平 -专利权人：株式会社田村制作所
申请日： 2012-08-06 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L29/26 文献下载
摘要：本发明提供一种晶体层叠结构体，其包含：外延生长基板，其包含n型β‑Ga2O3系单晶，将(010)面、或者相对于上述(010)面以37.5°以内的角度范围倾斜的面作为主面；以及n型外延晶体，其形成于上述外延生长基板的上述主面上，上述n型β‑Ga2O3系单晶包含第1供体浓度，上述n型外延晶体是含镓氧化物，包含比上述第1供体浓度低的第2供体浓度。
晶体层叠结构

[发明专利]基于二硫化钨/锑化镓结型场效应晶体管及其制备方法-CN202110436209.2有效
发明人：程子超;剪宇轩;宋秀峰;顾宇;陈翔 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2021-04-22 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L29/267 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于WS2/GaSb结型场效应晶体管及其制备方法。所述的结型场效应晶体管包括衬底、N型WS2薄膜、P型GaSb纳米线、源电极、漏电极和栅电极；P型GaSb纳米线设于衬底的表面，源电极与漏电极设于P型GaSb纳米线表面的两端，N型WS2薄膜设于P型GaSb纳米线表面且位于源电极与漏电极之间；栅电极设于N型WS2薄膜的表面且位于源电极与漏电极之间。本发明将GaSb和WS2二维半导体应用于JFET中，确保了抑制界面缺陷的产生，减少了界面态对载流子输运的影响，并借助JFET没有复杂介电工程的优势，降低器件的亚阈值摆幅，提高开关比和电流密度。
基于硫化锑化镓结型场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]电子晶体自旋场效应晶体管及制造方法和应用-CN202210560923.7在审
发明人：林彬;王国庆;骆小谚 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-05-23 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： H01L29/267 文献下载
摘要：本发明涉及集成电路领域、新型材料领域和电子信息领域，提供了电子晶体自旋场效应晶体管及制造方法和应用，能够实现高速度、高性能、低功耗、柔性和原子尺度的自旋场效应晶体管；本发明制造的自旋场效应晶体管，不仅可集成度高，可解决传统集成电路系统中尺寸大、功耗高、应用场景受限等问题，也可以为大尺寸场效应晶体管或者集成电路关键零部件材料提供新的思路；本发明采用电子晶体作为自旋场效应晶体管的核心组件，具有原子尺度、灵敏度高、隧穿磁阻大、功耗低和稳定性高、柔性和机械性能等优点，同时成本低廉，制造工艺成熟，作为商业化用途潜力巨大。
电子晶体自旋场效应晶体管制造方法应用

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