[发明专利]用于物理气相传输法生长碳化硅晶体的坩埚有效
| 申请号： | 201710194865.X | 申请日： | 2017-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN106894091B | 公开（公告）日： | 2020-03-20 |
| 发明（设计）人： | 杨祥龙;徐现刚;胡小波;陈秀芳;彭燕;张用 | 申请（专利权）人： | 山东大学;国网山东省电力公司电力科学研究院;国家电网有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 逯长明;许伟群 |
| 地址： | 250100 *** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明是关于一种用于物理气相传输法生长碳化硅晶体的坩埚，该坩埚包括坩埚体，该坩埚体包括底壁和侧壁，由上述底壁和侧壁围成用于放置碳化硅多晶粉料的内腔室；进一步的，上述侧壁中设有用于放置硅源的夹层腔，其中硅源用于在夹层腔中提供Si蒸汽压，并且夹层腔中的Si蒸汽压大于或等于内腔室中的Si蒸汽压。本发明通过在坩埚体侧壁中设置夹层腔，并且在该夹层腔中放置硅源以提供合适的Si蒸汽浓度，借助Si蒸汽浓度梯度作用，控制SiC单晶生长室中的Si蒸汽扩散方向，不仅有效控制整个碳化硅单晶生长过程中所需的化学计量比，避免了碳化硅单晶中产生碳包裹体缺陷，还可以防止原料的严重碳化，促进高质量碳化硅晶体的生长。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 物理 相传 生长 碳化硅 晶体 坩埚 | ||
【主权项】：
一种用于物理气相传输法生长碳化硅晶体的坩埚，其特征在于，包括坩埚体(12)，其中：所述坩埚体(12)包括底壁、以及从所述底壁延伸出的侧壁，由所述底壁和所述侧壁围成用于放置碳化硅多晶粉料的内腔室(14)；所述侧壁中设有用于放置硅源的夹层腔(13)；所述硅源，用于在所述夹层腔(13)中提供Si蒸汽压；所述夹层腔(13)中的Si蒸汽压大于或等于所述内腔室(14)中的Si蒸汽压。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于山东大学;国网山东省电力公司电力科学研究院;国家电网有限公司，未经山东大学;国网山东省电力公司电力科学研究院;国家电网有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710194865.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种高质量低电阻率的p型SiC单晶制备方法
- 下一篇：一种电雕版辊防震器
