[发明专利]用于物理气相传输法生长碳化硅晶体的坩埚有效
| 申请号： | 201710194865.X | 申请日： | 2017-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN106894091B | 公开（公告）日： | 2020-03-20 |
| 发明（设计）人： | 杨祥龙;徐现刚;胡小波;陈秀芳;彭燕;张用 | 申请（专利权）人： | 山东大学;国网山东省电力公司电力科学研究院;国家电网有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 逯长明;许伟群 |
| 地址： | 250100 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 物理 相传 生长 碳化硅 晶体 坩埚 | ||
1.一种用于物理气相传输法生长碳化硅晶体的坩埚，其特征在于，包括石墨坩埚体(12)，其中：
所述坩埚体(12)包括底壁、以及从所述底壁延伸出的侧壁，由所述底壁和所述侧壁围成的内腔室(14)，所述内腔室(14)中放置有碳化硅多晶粉料；
所述侧壁中设有夹层腔(13)，所述夹层腔(13)中放置有硅源；
所述硅源，用于在所述夹层腔(13)中提供Si蒸汽压；
设置所述硅源中粉料的组分、颗粒度、比表面积中的一个或多个参数，以使在碳化硅晶体生长过程中，所述夹层腔(13)中的Si蒸汽压大于所述内腔室(14)中的Si蒸汽压，其中，所述夹层腔(13)中Si蒸汽压与所述内腔室(14)中的Si蒸汽压的比值大于1倍且小于或等于1.5倍；
所述夹层腔(13)包括至少两层子夹层腔，所述至少两层子夹层腔沿所述坩埚体(12)的径向方向依次排列；
所述至少两层子夹层腔中的Si蒸汽压沿所述坩埚体(12)的径向方向依次增大。
2.根据权利要求1所述的坩埚，其特征在于，所述至少两层子夹层腔中最靠近所述内腔室(14)的子夹层腔为第一子夹层腔，所述第一子夹层腔中Si蒸汽压等于所述内腔室(14)中的Si蒸汽压。
3.根据权利要求1所述的坩埚，其特征在于，所述夹层腔(13)的内侧壁厚度小于所述夹层腔(13)的外侧壁厚度。
4.根据权利要求1所述的坩埚，其特征在于，所述夹层腔(13)的径向截面为环绕所述内腔室(14)设置的圆环形结构。
5.根据权利要求1所述的坩埚，其特征在于，所述夹层腔(13)的底腔面与所述坩埚体(12)的底面之间的间距大于所述内腔室(14)的底腔面与所述坩埚体(12)的底面之间的间距。
6.根据权利要求1所述的坩埚，其特征在于，所述硅源包括硅粉、或者硅粉和碳化硅多晶粉料的混合物。
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