[发明专利]一种基于芯片内部导线熔断原理的PUF方案及电路实现

摘要

本发明提供提了一种基于芯片内部导线熔断原理的PUF方案及其具体电路实现。选择芯片内部具有正温系数材质，在芯片内部形成M（M大于等于1）组电路连线，并在每组电路连线上选择N个位置（N大于等于2），将该N处位置刻意设计为比电路连线上其它位置处线宽尺寸更加细小，使得该N处位置的电阻比其它位置处更大。在电路连线两端加合适的电压，使得合适大小的电流从电路连线流过，使电路连线发热，较细的点处由于电阻较大发热较为严重，最终N处线宽尺寸较为细小位置中电阻相对较大的那一处被首先熔断。利用芯片制造工艺的离散性，每条电路连线上熔断点的位置随机，实现了一种稳定可靠的物理不可克隆的函数基础。

主权项

一种基于芯片内部导线熔断原理的PUF方案及电路实现，其核心包括：芯片内部以正温度系数（随温度升高其电阻变大）导电材质形成的M组（M大于等于1）电路连接线，且导线上有呈串连关系的N处（N大于等于2）线宽尺寸相对电路连线上其它位置较为细小的形状设计。