[发明专利]一种扇出型晶圆级封装结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201710173714.6 | 申请日： | 2017-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN106684056A | 公开（公告）日： | 2017-05-17 |
| 发明（设计）人： | 吴政达;林正忠 | 申请（专利权）人： | 中芯长电半导体（江阴）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/488;H01L21/56;H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所31219 | 代理人： | 姚艳 |
| 地址： | 214437 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种扇出型晶圆级封装结构及其制备方法，其中，封装结构至少包括：重新布线层；键合于所述重新布线层上表面的至少一个倒装芯片及形成于所述重新布线层上表面的至少两个第一凸块，所述倒装芯片和所述第一凸块均与所述重新布线层实现电性连接，且所述第一凸块的顶部高于所述倒装芯片的顶部；形成于所述重新布线层上表面的填充满所述倒装芯片和所述重新布线层之间的连接缝隙并包裹所述倒装芯片及所述第一凸块的一部分的塑封层；以及形成于所述重新布线层下表面的第二凸块。本发明的封装结构中的塑封层为倒装芯片和重新布线层之间提供了无缝隙粘合以及良好的接合结构，避免了界面分层的风险，提高了封装结构的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 扇出型晶圆级 封装 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种扇出型晶圆级封装结构，其特征在于，所述扇出型晶圆级封装结构至少包括：重新布线层；键合于所述重新布线层上表面的至少一个倒装芯片及形成于所述重新布线层上表面的至少两个第一凸块，所述倒装芯片和所述第一凸块均与所述重新布线层实现电性连接，且所述第一凸块的顶部高于所述倒装芯片的顶部；形成于所述重新布线层上表面的填充满所述倒装芯片和所述重新布线层之间的连接缝隙并包裹所述倒装芯片及所述第一凸块的一部分的塑封层；以及形成于所述重新布线层下表面的第二凸块。
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