[发明专利]熔丝结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201710160423.3 | 申请日： | 2017-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN108630664B | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | 冯军宏;甘正浩 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/62 | 分类号： | H01L23/62 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种熔丝结构及其形成方法，其中方法包括：提供基底；在所述基底上形成熔丝层和覆盖熔丝层的层间介质层，所述熔丝层包括熔断区；刻蚀熔丝层熔断区上的层间介质层以在层间介质层中形成暴露出熔丝层熔断区的通孔，且所述刻蚀层间介质层的工艺还对熔丝层熔断区的表面进行刻蚀。所述方法提高了熔丝结构的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种熔丝结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底上形成熔丝层和覆盖熔丝层的层间介质层，所述熔丝层包括熔断区；刻蚀熔丝层熔断区上的层间介质层以在层间介质层中形成暴露出熔丝层熔断区的通孔，且所述刻蚀层间介质层的工艺还对熔丝层熔断区的表面进行刻蚀。
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