[发明专利]熔丝结构及其形成方法

权利要求书

1.一种熔丝结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底上形成熔丝层和覆盖熔丝层的层间介质层，所述熔丝层包括相对的两电极区，以及位于所述两电极区之间的熔断区；

刻蚀熔丝层熔断区上的层间介质层以在层间介质层中形成暴露出熔丝层熔断区的通孔，且所述刻蚀层间介质层的工艺还对熔丝层熔断区的表面进行刻蚀，以在所述通孔暴露出的熔丝层熔断区的表面形成缺陷点。

2.根据权利要求1所述的熔丝结构的形成方法，其特征在于，所述通孔仅暴露出熔丝层熔断区的顶部表面；所述刻蚀层间介质层的工艺仅对熔丝层熔断区的顶部表面进行刻蚀。

3.根据权利要求1所述的熔丝结构的形成方法，其特征在于，所述通孔暴露出熔丝层熔断区的顶部表面和侧壁表面；所述刻蚀层间介质层的工艺对熔丝层熔断区的顶部表面和侧壁表面进行刻蚀。

4.根据权利要求3所述的熔丝结构的形成方法，其特征在于，所述熔丝层熔断区投影到基底表面图形的形状为条形；在所述熔丝层熔断区投影图形的宽度方向上，所述通孔的尺寸大于所述熔丝层熔断区的尺寸。

5.根据权利要求4所述的熔丝结构的形成方法，其特征在于，在所述熔丝层熔断区投影图形的宽度方向上，所述通孔的尺寸为所述熔丝层熔断区尺寸的1.1倍～2倍。

6.根据权利要求1所述的熔丝结构的形成方法，其特征在于，所述通孔的数量为一个或者多个。

7.根据权利要求6所述的熔丝结构的形成方法，其特征在于，所述熔丝层熔断区投影到基底表面图形的形状为条形；当所述通孔的数量为多个时，所述通孔沿所述熔丝层熔断区投影图形的长度方向排列。

8.根据权利要求1所述的熔丝结构的形成方法，其特征在于，所述熔丝层熔断区投影到基底表面图形的形状为条形；所述熔丝层还包括位于熔断区两侧的电极区，自电极区到熔断区的方向垂直于所述熔丝层熔断区投影图形的宽度方向，在所述熔丝层熔断区投影图形的宽度方向上，熔丝层电极区的尺寸大于熔丝层熔断区的尺寸。

9.根据权利要求8所述的熔丝结构的形成方法，其特征在于，还包括：在所述熔丝层电极区上的层间介质层中形成电极孔，所述电极孔暴露出熔丝层电极区。

10.根据权利要求9所述的熔丝结构的形成方法，其特征在于，在所述熔丝层熔断区投影图形的宽度方向上，所述电极孔的尺寸小于所述熔丝层电极区的尺寸且大于所述熔丝层熔断区的尺寸。

11.根据权利要求1所述的熔丝结构的形成方法，其特征在于，还包括：在所述通孔中形成保护层；所述保护层的材料为绝缘体材料，或者，所述保护层的材料为导电材料。

12.根据权利要求1所述的熔丝结构的形成方法，其特征在于，还包括：在所述基底上形成控制电路模块，所述控制电路模块和熔丝层电学连接，所述控制电路模块适于给熔丝层提供熔断电流而使熔丝层熔断。

13.一种熔丝结构，其特征在于，包括：

基底；

位于所述基底上的熔丝层，所述熔丝层包括相对的两电极区，以及位于所述两电极区之间的熔断区；

位于所述基底上且覆盖熔丝层的层间介质层；

位于层间介质层中且暴露出熔丝层熔断区的通孔，所述通孔暴露出的熔丝层熔断区的表面形成有缺陷点。

14.根据权利要求13所述的熔丝结构，其特征在于，所述通孔仅暴露出熔丝层熔断区的顶部表面；或者，所述通孔暴露出熔丝层熔断区的顶部表面和侧壁表面。