[发明专利]熔丝结构及其形成方法

说明书

一种熔丝结构及其形成方法，其中方法包括：提供基底；在所述基底上形成熔丝层和覆盖熔丝层的层间介质层，所述熔丝层包括熔断区；刻蚀熔丝层熔断区上的层间介质层以在层间介质层中形成暴露出熔丝层熔断区的通孔，且所述刻蚀层间介质层的工艺还对熔丝层熔断区的表面进行刻蚀。所述方法提高了熔丝结构的性能。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种熔丝结构及其形成方法。

背景技术

在半导体工业中，熔丝元件由于具有多种用途而被广泛使用在集成电路中。例如，在集成电路中设计多个具有相同功能的电路模块作为备份，当发现其中一个电路模块失效时，通过熔丝元件将电路模块和集成电路中的其它功能电路烧断，而使用具有相同功能的另一个电路模块取代失效的电路模块。又如，设计一款通用的集成电路，根据不同用户的需求，将不需要的电路模块通过熔丝元件烧断，这样一款集成电路就可以以经济的方式制造并适用于不同客户。

随着集成电路的集成度不断减小，熔丝结构的性能难以满足要求。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种熔丝结构及其形成方法，以提高熔丝结构的性能。

为解决上述问题，本发明提供一种熔丝结构的形成方法，包括：提供基底；在所述基底上形成熔丝层和覆盖熔丝层的层间介质层，所述熔丝层包括熔断区；刻蚀熔丝层熔断区上的层间介质层以在层间介质层中形成暴露出熔丝层熔断区的通孔，且所述刻蚀层间介质层的工艺还对熔丝层熔断区的表面进行刻蚀。

可选的，所述通孔仅暴露出熔丝层熔断区的顶部表面；所述刻蚀层间介质层的工艺仅对熔丝层熔断区的顶部表面进行刻蚀。

可选的，所述通孔暴露出熔丝层熔断区的顶部表面和侧壁表面；所述刻蚀层间介质层的工艺对熔丝层熔断区的顶部表面和侧壁表面进行刻蚀。

可选的，所述熔丝层熔断区投影到基底表面图形的形状为条形；在所述熔丝层熔断区投影图形的宽度方向上，所述通孔的尺寸大于所述熔丝层熔断区的尺寸。

可选的，在所述熔丝层熔断区投影图形的宽度方向上，所述通孔的尺寸为所述熔丝层熔断区尺寸的1.1倍～2倍。

可选的，所述通孔的数量为一个或者多个。

可选的，所述熔丝层熔断区投影到基底表面图形的形状为条形；当所述通孔的数量为多个时，所述通孔沿所述熔丝层熔断区投影图形的长度方向排列。

可选的，所述熔丝层熔断区投影到基底表面图形的形状为条形；所述熔丝层还包括位于熔断区两侧的电极区，自电极区到熔断区的方向垂直于所述熔丝层熔断区投影图形的宽度方向，在所述熔丝层熔断区投影图形的宽度方向上，熔丝层电极区的尺寸大于熔丝层熔断区的尺寸。

可选的，还包括：在所述熔丝层电极区上的层间介质层中形成电极孔，所述电极孔暴露出熔丝层电极区。

可选的，在所述熔丝层熔断区投影图形的宽度方向上，所述电极孔的尺寸小于所述熔丝层电极区的尺寸且大于所述熔丝层熔断区的尺寸。

可选的，还包括：在所述通孔中形成保护层；所述保护层的材料为绝缘体材料，或者，所述保护层的材料为导电材料。

可选的，还包括：在所述基底上形成控制电路模块，所述控制电路模块和熔丝层电学连接，所述控制电路模块适于给熔丝层提供熔断电流而使熔丝层熔断。

本发明还提供一种熔丝结构，包括：基底；位于所述基底上的熔丝层，所述熔丝层包括熔断区；位于所述基底上且覆盖熔丝层的层间介质层；位于层间介质层中且暴露出熔丝层熔断区的通孔。

可选的，所述通孔仅暴露出熔丝层熔断区的顶部表面；或者，所述通孔暴露出熔丝层熔断区的顶部表面和侧壁表面。