[发明专利]硅通孔的形成方法

摘要

本发明提供了一种硅通孔的形成方法，包括：提供一具有沟槽半导体衬底；于所半导体衬底上和沟槽的侧壁和底部形成附加层和金属层；采用第一研磨工艺去除半导体衬底上的金属层；执行退火工艺，以释放半导体衬底和半导体衬底上的膜层的应力；执行第二研磨工艺，去除所述附加层。即，通过退火工艺，以使半导体衬底和半导体衬底上的膜层应力得到释放，从而在执行研磨工艺以对膜层进行减薄时，避免整个半导体结构中产生一相反的应力，改善半导体结构反向弯曲的现象，从而可防止半导体衬底上的膜层发生断裂的问题。

主权项

1.一种硅通孔的形成方法，其特征在于，包括：提供一半导体衬底，所述半导体衬底上形成有一基层；形成一沟槽，所述沟槽贯穿所述基层并延伸至所述半导体衬底中；于所述半导体衬底上以及所述沟槽的侧壁和底部形成一附加层；于所述半导体衬底上形成一金属层，所述金属层填充所述沟槽；执行第一研磨工艺，去除所述半导体衬底上的金属层；执行第一次退火工艺，以释放所述半导体衬底和所述半导体衬底上的膜层的应力；在执行所述第一次退火工艺之后，执行第二研磨工艺，去除所述附加层。