[发明专利]三维半导体元件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种三维半导体元件，包括：一基板，包括一阵列区域和邻近阵列区域的一阶梯区域，其中阶梯区域包括N个梯级，N为大于或等于1的整数；一叠层，具有多层结构叠置于该基板上，且多层结构包括有源层与绝缘层交错设置于基板上方，该叠层包括多个次叠层形成于基板上，这些次叠层与阶梯区域的N个梯级对应设置以分别形成接触区域，其中于接触区域中各次叠层的一最上层有源层包括一金属硅化物层；和多层结构连接器，分别位于对应的接触区域，且多层结构连接器系向下延伸以电性连接各个次叠层的金属硅化物层。

主权项

1.一种三维半导体元件，包括：一基板，包括一阵列区域(array area)和邻近该阵列区域的一阶梯区域(staircase area)，其中该阶梯区域包括N个梯级(N steps)，N为大于或等于1的整数；一叠层，具有多层结构(multi‑layers)叠置于该基板上，且该多层结构包括有源层与绝缘层交错设置于该基板上方，该叠层包括多个次叠层(sub‑stacks)形成于该基板上，这些次叠层与该阶梯区域的该N个梯级对应设置以分别形成接触区域(contact regions)，其中于这些接触区域中各这些次叠层的一最上层有源层(an uppermost active layer)包括一金属硅化物层(silicide layer)；和多层结构连接器(multilayered connectors)，分别位于对应的这些接触区域，且这些多层结构连接器系向下延伸以电性连接各个这些次叠层的该金属硅化物层。