[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201710152679.X | 申请日： | 2017-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN108389851B | 公开（公告）日： | 2020-10-02 |
| 发明（设计）人： | 林柏均;朱金龙 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L23/52;H01L23/528 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 李昕巍;章侃铱 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开一种半导体装置及其制造方法，其中半导体装置包含一第一半导体晶粒以及以一水平偏移方式堆迭至该第一半导体晶粒上的一第二半导体晶粒。该第一半导体晶粒包含一第一芯片选择终端以及电性连接至该第一芯片选择终端的一第一下终端。该第二半导体晶粒包含一第二芯片选择终端及一第二下终端，该第二芯片选择终端经由该第二下终端而电性连接至该第一半导体晶粒的一第一上终端。电性连接至该第二芯片选择终端的该第一上终端与电性连接至该第一芯片选择终端的该第一下终端电性隔离。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：一第一半导体晶粒；一第二半导体晶粒，以一水平偏移方式附接至该第一半导体晶粒上；其中该第一半导体晶粒包括一第一芯片选择终端及一第一下终端，其中该第一下终端电性连接至该第一芯片选择终端；以及其中该第二半导体晶粒包括一第二芯片选择终端及一第二下终端，该第二芯片选择终端经由该第二下终端而电性连接至该第一半导体晶粒的一第一上终端，电性连接至该第二芯片选择终端的该第一上终端与电性连接至该第一芯片选择终端的该第一下终端电性隔离。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南亚科技股份有限公司，未经南亚科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710152679.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：三维系统级封装结构及其封装方法
- 下一篇：半导体装置及电力变换装置
- 同类专利
- 专利分类
