[发明专利]在硅基材上形成III‑V族半导体层的方法

摘要

在硅基材上形成III‑V族半导体层的方法中，在第一温度下加热基材时，提供包括V族元素的第一来源气体至硅基材的表面，借以将硅表面端接V族元素。然后，在第二温度下加热基材时，提供包括III族元素的第二来源气体至硅基材的表面，借以直接形成成核层在硅基材的表面上。在成核层形成后，停止提供第二来源气体，且当提供第一来源气体时，在第三温度下退火基材，借以形成晶种层。在退火后，当在第四温度下加热基材时，提供第二来源气体，借以在晶种层上形成主体III‑V族半导体层。

主权项

一种在硅基材上形成III‑V族半导体层的方法，其特征在于，包含：在一第一温度下加热该基材时，提供包括一V族元素的一第一来源气体至该硅基材的一表面，借以将该硅表面端接该V族元素；在一第二温度下加热该基材时，提供包括一III族元素的一第二来源气体至该表面，借以直接形成一成核层在该硅基材的该表面上；在该成核层形成后，停止提供该第二来源气体，且在提供该第一来源气体时，在一第三温度下退火该基材，借以形成一晶种层；以及在该退火该基材后，当在一第四温度下加热该基材时，提供该第二来源气体，借以在该晶种层上形成一主体III‑V族半导体层。