[发明专利]碳化硅单晶的制备方法有效
| 申请号： | 201710136891.7 | 申请日： | 2017-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN106894089B | 公开（公告）日： | 2018-03-09 |
| 发明（设计）人： | 张岩;赵然;马鹏翔;赵子强;孙建;李晋;陈菲菲;谷元中;梁浩;邓晓妍;王浩然 | 申请（专利权）人： | 中科钢研节能科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司11283 | 代理人： | 严政,陈静 |
| 地址： | 100081 北京市海淀区大*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及碳化硅单晶制备领域，公开了一种碳化硅单晶的制备方法，包括将装有碳化硅原料的坩埚放入长晶炉中，加热碳化硅原料使其升华而在籽晶上进行再结晶，将晶体冷却，得到碳化硅单晶，其中，所述加热方式为以下依次进行的阶段(1)在温度为1200‑1300℃、压力为550‑650托的条件下维持10‑20min；(2)压力为550‑650，将温度升至2100‑2200℃；(3)将压力降为350‑450托，并维持20‑40min；(4)将压力降为1‑2托，并维持30‑40h；(5)将压力升至350‑450托，并维持20‑40min；(6)将压力升至550‑650托。该方法能得到大尺寸且高质量的碳化硅单晶。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种碳化硅单晶的制备方法，该制备方法包括：将装有碳化硅原料的坩埚放入长晶炉中，加热所述坩埚中的碳化硅原料使其升华从而在籽晶上进行再结晶，将结晶后形成的晶体冷却，得到碳化硅单晶，其特征在于，所述加热的方式为依次进行以下阶段：(1)第一阶段：在温度为1200‑1300℃、压力为550‑650托的条件下维持10‑20min；(2)第二阶段：压力为550‑650托，将温度升至2100‑2200℃；(3)第三阶段：温度为2100‑2200℃，将压力降为350‑450托，并维持20‑40min；(4)第四阶段：温度为2100‑2200℃，将压力降为1‑2托，并维持30‑40h；(5)第五阶段：温度为2100‑2200℃，将压力升至350‑450托，并维持20‑40min；(6)第六阶段：温度为2100‑2200℃，将压力升至550‑650托；所述温度为所述坩埚内上部的气态碳化硅原料的温度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中科钢研节能科技有限公司，未经中科钢研节能科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710136891.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
