[发明专利]半导体存储装置在审
| 申请号： | 201710133674.2 | 申请日： | 2017-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN107818985A | 公开（公告）日： | 2018-03-20 |
| 发明（设计）人： | 小长井聡 | 申请（专利权）人： | 东芝存储器株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/11578 | 分类号： | H01L27/11578;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 | 代理人： | 杨林勋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 实施方式的半导体存储装置具备衬底、积层体、柱状部、及绝缘膜。所述积层体设置在所述衬底上，具有各自隔开而积层的多层电极层。所述柱状部具有设置在所述积层体内，且沿着所述多层电极层的积层方向延伸的第1半导体部。所述绝缘膜覆盖所述柱状部的底部。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体存储装置，其特征在于具备：衬底；积层体，设置在所述衬底上，具有各自隔开而积层的多层电极层；柱状部，具有设置在所述积层体内，沿着所述多层电极层的积层方向延伸的第1半导体部；及绝缘膜，覆盖所述柱状部的底部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
