[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，其特征在于具备：

衬底；

积层体，设置在所述衬底上，具有各自隔开而积层的多层电极层；

柱状部，具有设置在所述积层体内，沿着所述多层电极层的积层方向延伸的第1半导体部；及

绝缘膜，覆盖所述柱状部的底部。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：

所述绝缘膜包含氧化硅。

3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：

所述绝缘膜的形状为有底的筒状。

4.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：

所述绝缘膜的厚度随着朝向所述积层体的下层而变小。

5.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：

所述柱状部具有设置在所述第1半导体部及所述积层体之间的多层膜；

所述绝缘膜的一部分位于所述积层体与所述多层膜之间；

所述积层体与所述多层膜之间的所述绝缘膜的厚度随着朝向所述积层体的下层而变小。

6.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：

还具备第1绝缘层，覆盖所述积层体的一部分；且

所述积层体具有对每一所述电极层设有阶差的阶梯状的端部；

所述第1绝缘层覆盖所述积层体的所述端部；

所述柱状部在所述端部及所述第1绝缘层内沿着所述积层方向延伸；

所述绝缘膜的至少一部分位于所述端部内。

7.根据权利要求6所述的半导体存储装置，其特征在于：

所述绝缘膜的一部分位于所述第1绝缘层内。

8.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于还具备：

第2半导体部，设置在所述积层体内，沿着所述积层体的积层方向延伸；

电荷累积膜，设置在所述第2半导体部及所述积层体之间；及

第1配线，设置在所述积层体上，连接所述第2半导体部。

9.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：

还具备外围电路，设置在所述积层体周围，具有开关元件、和设置在所述开关元件上的第2绝缘层；且

所述绝缘膜的上表面、和所述第2绝缘层的上表面位于大致同一平面上。

10.一种半导体存储装置，其特征在于具备：

衬底；

积层体，设置在所述衬底上，具有各自隔开而积层的多层电极层；

第1半导体部，设置在所述积层体内，沿着所述积层体的积层方向延伸；

第1电荷累积膜，设置在所述第1半导体部及所述积层体之间；

第2半导体部，设置在所述积层体内，沿着所述积层方向延伸，且包含与所述第1半导体部相同的材料；及

绝缘膜，覆盖所述第2半导体部的底面及侧面。

11.根据权利要求10所述的半导体存储装置，其特征在于：

所述绝缘膜包含氧化硅。

12.根据权利要求10所述的半导体存储装置，其特征在于：

所述绝缘膜的形状为有底的筒状。

13.根据权利要求10所述的半导体存储装置，其特征在于：

所述绝缘膜的一部分位于所述衬底内。

14.根据权利要求10所述的半导体存储装置，其特征在于：

所述绝缘膜的厚度随着朝向所述积层体的下层而变小。

15.根据权利要求10所述的半导体存储装置，其特征在于还具备：

第2电荷累积膜，设置在所述第2半导体部及所述积层体之间，包含与所述第1电荷累积膜相同的材料。

16.根据权利要求15所述的半导体存储装置，其特征在于：

所述绝缘膜的一部分位于所述积层体与所述第2电荷累积膜之间。

17.根据权利要求16所述的半导体存储装置，其特征在于：

所述积层体与所述第2电荷累积膜之间的所述绝缘膜的厚度随着朝向所述积层体的下层而变小。