[发明专利]半导体封装件及其制造方法在审
申请号: | 201710101790.6 | 申请日: | 2017-02-24 |
公开(公告)号: | CN107275230A | 公开(公告)日: | 2017-10-20 |
发明(设计)人: | 八甫谷明彦 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L23/31 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人: | 周欣,陈建全 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 实施方式的半导体封装件具备基体、半导体芯片、小片接合粘接层和分子接合层。所述小片接合粘接层设在所述基体与所述半导体芯片之间。所述分子接合层设在所述基体及所述半导体芯片中的至少一方与所述小片接合粘接层之间。所述分子接合层的至少一部分与含在所述小片接合粘接层中的树脂化学键合。所述分子接合层的至少一部分与含在所述基体中的第1原料及含在所述半导体芯片中的第2原料中的至少一方化学键合。 | ||
搜索关键词: | 半导体 封装 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种半导体封装件,其具备:基体,半导体芯片,小片接合粘接层,其含有多个导电粒子和树脂,设在所述基体与所述半导体芯片之间,分子接合层,其设在所述基体及所述半导体芯片中的至少一方与所述小片接合粘接层之间;所述分子接合层的至少一部分与所述小片接合粘接层的所述树脂化学键合;所述分子接合层的至少一部分与含在所述基体中的第1原料及含在所述半导体芯片中的第2原料中的至少一方化学键合。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东芝,未经株式会社东芝许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710101790.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造