[发明专利]半导体封装件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体封装件，其具备：

基体，

半导体芯片，

小片接合粘接层，其含有多个导电粒子和树脂，设在所述基体与所述半导体芯片之间，

分子接合层，其设在所述基体及所述半导体芯片中的至少一方与所述小片接合粘接层之间；

所述分子接合层的至少一部分与所述小片接合粘接层的所述树脂化学键合；

所述分子接合层的至少一部分与含在所述基体中的第1原料及含在所述半导体芯片中的第2原料中的至少一方化学键合。

2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，

所述分子接合层包含与所述小片接合粘接层的所述树脂和所述基体的所述第1原料双方共价键合的分子接合体、及与所述小片接合粘接层的所述树脂和所述半导体芯片的所述第2原料双方共价键合的分子接合体中的至少一方。

3.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，

所述分子接合层的至少一部分与所述小片接合粘接层的所述多个导电粒子中所含的至少1个导电粒子化学键合。

4.根据权利要求3所述的半导体封装件，其中，

所述分子接合层包含与所述小片接合粘接层的所述多个导电粒子中所含的1个导电粒子和所述基体的所述第1原料双方共价键合的分子接合体、及与所述小片接合粘接层的所述多个导电粒子中所含的1个导电粒子和所述半导体芯片的所述第2原料双方共价键合的分子接合体中的至少一方。

5.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，

所述分子接合层包含：第1分子接合层，其设在所述基体与所述小片接合粘接层之间，与所述基体和所述小片接合粘接层双方化学键合；第2分子接合层，其设在所述半导体芯片与所述小片接合粘接层之间，与所述半导体芯片和所述小片接合粘接层双方化学键合。

6.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，

所述分子接合层含有三嗪二硫醇残基。

7.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，

所述基体具有面向所述小片接合粘接层的第1区域；

所述半导体芯片具有面向所述小片接合粘接层的第2区域；

所述分子接合层相对于所述第1区域或所述第2区域的被覆密度为20％以上且80％以下。

8.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，

所述分子接合层的至少一部分为单分子膜状。

9.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，

所述多个导电粒子为Ag、Cu、Ni、Au的粒子或它们混合而成的粒子。

10.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，

所述树脂为丙烯酸树脂、环氧树脂、有机硅树脂、酚醛树脂、亚胺树脂、酰胺树脂或弹性体。

11.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，

所述小片接合粘接层为含有所述多个导电粒子和所述树脂的导电性浆料的固化物；

所述多个导电粒子相对于所述小片接合粘接层的全体质量的含量为50～95质量％。

12.一种半导体封装件的制造方法，其中，

在基体及半导体芯片中的至少一方的表面上涂布分子接合剂，形成分子接合层；

通过将含有多个导电粒子和树脂的小片接合粘接层夹在所述基体与所述半导体芯片之间，使所述分子接合层的至少一部分与所述小片接合粘接层的所述树脂接触。

13.根据权利要求12所述的半导体封装件的制造方法，其中，

使所述分子接合层的至少一部分与所述小片接合粘接层的所述多个导电粒子中所含的至少1个导电粒子接触。

14.根据权利要求12所述的半导体封装件的制造方法，其中，

所述分子接合剂可与金属及树脂双方化学键合。

15.根据权利要求12所述的半导体封装件的制造方法，其中，

所述分子接合剂含有三嗪衍生物。

16.根据权利要求15所述的半导体封装件的制造方法，其中，

所述三嗪衍生物为用通式(C1)表示的化合物，

(C1)

式中，R表示烃基或也可以夹杂异种原子或官能团的烃基，X表示氢原子或烃基，Y表示烷氧基，Z表示也可以形成盐的硫醇基、氨基或叠氮基、或也可以夹杂异种原子或官能团的烃基，n1为1～3的整数，n2为1～2的整数。