[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201710063634.5 | 申请日： | 2017-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN108389835B | 公开（公告）日： | 2020-10-09 |
| 发明（设计）人： | 贺鑫 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/092;H01L29/51 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 高静;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：在第一N区、第二N区、第一P区以及第二P区的基底上形成栅介质层以及位于栅介质层上的第一功函数层；对第一P区的第一功函数层下方的栅介质层进行还原处理，增加所述第一P区的栅介质层内的氧空位含量；在进行所述还原处理之后，在所述第一P区和第二P区的第一功函数层上形成第二功函数层；在所述第二N区的第一功函数层上、第一P区和第二P区的第二功函数层上形成第三功函数层；在所述第一N区的第一功函数层上、以及所述第三功函数层上形成N型功函数层。本发明降低了半导体结构形成工艺复杂性，节约了工艺步骤，减少了半导体结构所需的功函数层层数。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括用于形成第一N型器件的第一N区、用于形成第二N型器件的第二N区、用于形成第一P型器件的第一P区以及用于形成第二P型器件的第二P区，且所述第一N型器件的阈值电压小于第二N型器件的阈值电压，第一P型器件的阈值电压大于第二P型器件的阈值电压；在所述第一N区、第二N区、第一P区以及第二P区的基底上形成栅介质层以及位于所述栅介质层上的第一功函数层；对所述第一P区的第一功函数层下方的栅介质层进行还原处理，增加所述第一P区栅介质层内的氧空位含量；在进行所述还原处理之后，在所述第一P区和第二P区的第一功函数层上形成第二功函数层；在所述第二N区的第一功函数层上、第一P区和第二P区的第二功函数层上形成第三功函数层；在所述第一N区的第一功函数层上、以及所述第三功函数层上形成N型功函数层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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