[发明专利]半导体装置与形成半导体装置的方法有效
申请号: | 201710061657.2 | 申请日: | 2017-01-26 |
公开(公告)号: | CN107026119B | 公开(公告)日: | 2020-04-21 |
发明(设计)人: | 林志翰;张哲诚;曾鸿辉 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L27/02 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本案介绍形成半导体装置的一种方法,此方法包括接收具有多个栅极结构的基板;在栅极结构侧壁上形成间隔物;评估栅极结构的间距差异;根据间距差异决定蚀刻配方;藉由使用蚀刻配方对与栅极结构关连的极区域执行蚀刻制程,从而形成具有各自深度的源极/漏极凹槽;以及藉由使用半导体材料执行磊晶生长以在源极/漏极凹槽中形成源极/漏极特征。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 形成 方法 | ||
【主权项】:
一种形成半导体装置的方法,其特征在于,包括:接收一基板,该基板具有多个栅极结构;在该些栅极结构的侧壁上形成间隔物;评估该些栅极结构的一间距差异;根据该些间距差异决定一蚀刻配方;藉由使用该蚀刻配方对与该些栅极结构相关连的源极/漏极区域执行一蚀刻制程,从而形成具有各自深度的源极/漏极凹槽;以及藉由使用一半导体材料来执行一磊晶生长以在该些源极/漏极凹槽中形成源极/漏极特征。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造