[发明专利]半导体装置与形成半导体装置的方法有效

专利信息
申请号: 201710061657.2 申请日: 2017-01-26
公开(公告)号: CN107026119B 公开(公告)日: 2020-04-21
发明(设计)人: 林志翰;张哲诚;曾鸿辉 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L21/77 分类号: H01L21/77;H01L27/02
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 徐金国
地址: 中国台湾新竹市*** 国省代码: 台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 本案介绍形成半导体装置的一种方法,此方法包括接收具有多个栅极结构的基板;在栅极结构侧壁上形成间隔物;评估栅极结构的间距差异;根据间距差异决定蚀刻配方;藉由使用蚀刻配方对与栅极结构关连的极区域执行蚀刻制程,从而形成具有各自深度的源极/漏极凹槽;以及藉由使用半导体材料执行磊晶生长以在源极/漏极凹槽中形成源极/漏极特征。
搜索关键词: 半导体 装置 形成 方法
【主权项】:
一种形成半导体装置的方法,其特征在于,包括:接收一基板,该基板具有多个栅极结构;在该些栅极结构的侧壁上形成间隔物;评估该些栅极结构的一间距差异;根据该些间距差异决定一蚀刻配方;藉由使用该蚀刻配方对与该些栅极结构相关连的源极/漏极区域执行一蚀刻制程,从而形成具有各自深度的源极/漏极凹槽;以及藉由使用一半导体材料来执行一磊晶生长以在该些源极/漏极凹槽中形成源极/漏极特征。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司,未经台湾积体电路制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710061657.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top