[发明专利]半导体装置与形成半导体装置的方法

权利要求书

1.一种形成半导体装置的方法，其特征在于，包括：

接收一基板，该基板具有多个栅极结构，其中该些栅极结构包含多个第一栅极结构与多个第二栅极结构，其中该些第一栅极结构是核心装置的若干部分，该些第二栅极结构是逻辑装置的若干部分；

在该些栅极结构的侧壁上形成间隔物；

评估该些第一栅极结构与该些第二栅极结构的一间距差异；

根据该些间距差异决定一蚀刻配方；

藉由使用该蚀刻配方同时对与该些第一栅极结构与该些第二栅极结构相关连的源极/漏极区域执行一蚀刻制程，从而形成具有各自深度的源极/漏极凹槽，其中对该些源极/漏极区域执行该蚀刻制程包括随着该间距差异增大而增大离子体功率及气压中的至少其中之一；以及

藉由使用一第一半导体材料来执行一磊晶生长以在该些源极/漏极凹槽中形成源极/漏极特征。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，决定该蚀刻配方的步骤包括：

辨识该蚀刻制程以具有蚀刻负载效应；

辨识该蚀刻制程的一蚀刻参数，其中该蚀刻参数根据该蚀刻负载效应对该蚀刻参数的灵敏度决定；以及

根据该间距差异决定该蚀刻参数的一值。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，辨识该蚀刻制程以具有蚀刻负载效应的步骤包括选择利用一蚀刻剂的等离子体蚀刻制程，该蚀刻剂包括以下其中之一：一含氟化学品、一含氯化学品以及上述各者的一组合。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，辨识该蚀刻制程的该蚀刻参数的步骤包括选择以下至少其中之一：等离子体功率以及气压。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该基板包括一第二半导体材料；以及该第一半导体材料不同于该第二半导体材料。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，该第二半导体材料是硅，以及该第一半导体材料是硅锗。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，评估该些第一栅极结构与该些第二栅极结构的该间距差异的步骤包括决定一间距比率以作为该间距差异，其中决定该间距比率的步骤包括：

根据一间距准则将该些栅极结构分类，从而将该些栅极结构分组如下：该些栅极结构的一第一子集，其间距小于该间距准则，关连于该些第一栅极结构；以及该些栅极结构的一第二子集，其间距大于该间距准则，关连于该些第二栅极结构；

决定该些栅极结构的该第一子集的一第一平均间距，及该些栅极结构的该第二子集的一第二平均间距；以及

决定该间距比率为该第二平均间距对该第一平均间距的一比率。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，

该些源极/漏极区域包括与该第一子集的该些栅极结构关连的第一源极/漏极区域，及与该第二子集的该些栅极结构关连的第二源极/漏极区域；以及

该蚀刻制程的该蚀刻负载效应包括：该蚀刻制程对该些第一源极/漏极区域具有一第一蚀刻速率，及对该些第二源极/漏极区域具有一第二蚀刻速率，其中该第一蚀刻速率大于该第二蚀刻速率。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，

该蚀刻制程包括一第一蚀刻及一第二蚀刻；

根据该间距差异而决定该蚀刻配方的该步骤包括为该第一蚀刻决定一第一子配方及为该第二蚀刻决定一第二子配方；以及

对该些源极/漏极区域同时执行该蚀刻制程的该步骤包括：藉由使用该第一子配方对该些第一源极/漏极区域应用该第一蚀刻，及对藉由使用该第二子配方对该些第二源极/漏极区域应用该第二蚀刻。