[发明专利]半导体元件及其制作方法有效
| 申请号： | 201710058332.9 | 申请日： | 2017-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN108346666B | 公开（公告）日： | 2022-10-04 |
| 发明（设计）人： | 吴家伟;钟定邦;詹电鍼;詹书俨 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11568 | 分类号： | H01L27/11568 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体元件及其制作方法。首先提供一基底，具有一上表面。在基底中形成至少一沟槽，并于沟槽中形成一阻障层以及一导电材料填满该沟槽。接着凹陷导电材料以及阻障层至低于该上表面，然后进行一氧化制作工艺，氧化暴露的导电材料以及阻障层以形成一绝缘层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体元件的制作方法，包含:提供一基底，具有一上表面；在该基底中形成至少一沟槽；在该沟槽中形成一阻障层；在该阻障层上形成一导电材料，填满该沟槽；凹陷该导电材料以及该阻障层至低于该上表面；以及进行一氧化制作工艺以氧化部分该导电材料以及该阻障层，形成一绝缘层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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