[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201710048130.6 | 申请日： | 2017-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN107086205B | 公开（公告）日： | 2019-04-19 |
| 发明（设计）人： | 关根重信 | 申请（专利权）人： | 纳普拉有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L21/56 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 白丽 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种即使在高的工作温度下工作也能够确保耐久性、在充分发挥半导体元件的性能方面有利的半导体装置。本发明的半导体装置包括将被基座(14)支撑的半导体元件(16)密封的密封层(20)而构成。密封层(20)由纳米复合物结构构成，所述纳米复合物结构由大量nm尺寸(1μm以下)的粒径的由SiO2构成的绝缘性纳米微粒(54)和将这些绝缘性纳米微粒(54)的周围没有间隙地填埋的非晶二氧化硅(56)构成。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，其具备：半导体元件；壳体，其收纳所述半导体元件；基座，其在所述壳体的内部支撑所述半导体元件，发挥作为将所述半导体元件发出的热散热的散热部件的功能；配线部件，其配设在所述壳体的内部，与所述半导体元件电连接；和密封层，其填充在所述壳体的内部，将所述半导体元件、所述配线部件密封，其中，所述密封层由纳米复合物结构构成，所述纳米复合物结构由1μm以下的粒径的由SiO2构成的绝缘性纳米微粒和将这些绝缘性纳米微粒的周围没有间隙地填埋的非晶二氧化硅构成。
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