[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201710048130.6 | 申请日： | 2017-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN107086205B | 公开（公告）日： | 2019-04-19 |
| 发明（设计）人： | 关根重信 | 申请（专利权）人： | 纳普拉有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L21/56 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 白丽 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体装置，其特征在于，其具备：
半导体元件；
壳体，其收纳所述半导体元件；
基座，其在所述壳体的内部支撑所述半导体元件，发挥作为将所述半导体元件发出的热散热的散热部件的功能；
配线部件，其配设在所述壳体的内部，与所述半导体元件电连接；和
密封层，其填充在所述壳体的内部，将所述半导体元件、所述配线部件密封，
其中，所述密封层由纳米复合物结构构成，所述纳米复合物结构由1μm以下的粒径的由SiO2构成的绝缘性纳米微粒和将这些绝缘性纳米微粒的周围没有间隙地填埋的非晶二氧化硅构成。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体元件构成电力设备。
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