[发明专利]引线框架、半导体装置及引线框架的制造方法有效

专利信息
申请号: 201710012575.9 申请日: 2017-01-09
公开(公告)号: CN107039387B 公开(公告)日: 2021-09-28
发明(设计)人: 笠原哲一郎;松泽秀树;大串正幸;坂井直也 申请(专利权)人: 新光电气工业株式会社
主分类号: H01L23/495 分类号: H01L23/495;H01L21/48
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 李辉;黄纶伟
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供一种引线框架、半导体装置及引线框架的制造方法。一种引线框架,其包括:第一引线框架,包括第一引线;第二引线框架,包括第二引线,所述第二引线接合到所述第一引线;以及树脂部,设置在所述第一引线框架与所述第二引线框架之间,其中,所述第一引线和所述第二引线各自包括埋置在所述树脂部中的埋置部、及从所述树脂部突出的突出部,所述第一引线的所述埋置部与所述第二引线的所述埋置部在所述树脂部中接合。
搜索关键词: 引线 框架 半导体 装置 制造 方法
【主权项】:
一种引线框架,其包括:第一引线框架,包括第一引线;第二引线框架,包括第二引线,所述第二引线接合到所述第一引线;以及树脂部,设置在所述第一引线框架与所述第二引线框架之间,其中,所述第一引线和所述第二引线各自包括埋置在所述树脂部中的埋置部、及从所述树脂部突出的突出部,所述第一引线的所述埋置部与所述第二引线的所述埋置部在所述树脂部中接合。
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