[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201710011818.7 | 申请日： | 2017-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN108281482B | 公开（公告）日： | 2022-04-15 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，所述形成方法包括：提供衬底，所述衬底上具有鳍部；在所述鳍部上形成栅极结构，所述栅极结构横跨所述鳍部且覆盖所述鳍部部分顶部和部分侧壁的表面；进行第一刻蚀处理，在所述栅极结构两侧的鳍部内形成开口；对所述形成有开口的鳍部进行静电放电注入，在所述鳍部内形成静电放电掺杂区，所述静电放电掺杂区内具有第一类型离子；在所述开口内形成应力层，以形成位于所述静电放电掺杂区上的源漏掺杂区，所述源漏掺杂区内具有第二类型离子。本发明技术方案有效提高所形成应力层的质量，减少源漏掺杂区形成过程中应力层释放的应力，有利于改善所形成应力层的性能，有利于提高所形成半导体结构的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上具有鳍部；在所述鳍部上形成栅极结构，所述栅极结构横跨所述鳍部且覆盖所述鳍部部分顶部和部分侧壁的表面；进行第一刻蚀处理，在所述栅极结构两侧的鳍部内形成开口；对所述形成有开口的鳍部进行静电放电注入，在所述鳍部内形成静电放电掺杂区，所述静电放电掺杂区内具有第一类型离子；在所述开口内形成应力层，以形成位于所述静电放电掺杂区上的源漏掺杂区，所述源漏掺杂区内具有第二类型离子。
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