[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201680087903.5 | 申请日： | 2016-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN109478543B | 公开（公告）日： | 2022-07-05 |
| 发明（设计）人： | 中田洋辅;佐佐木太志 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/52 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体芯片(3)经由第1焊料(2)而接合于电极基板(1)的上表面。引线框(5)经由第2焊料(4)而接合于半导体芯片(3)的上表面。在电极基板(1)和半导体芯片(3)之间，中间板(6)设置于第1焊料(2)中。中间板(6)的屈服强度在半导体装置的整个使用温度范围比电极基板(1)及第1焊料(2)的屈服强度大。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：电极基板；半导体芯片，其经由第1焊料而接合于所述电极基板的上表面；引线框，其经由第2焊料而接合于所述半导体芯片的上表面；以及中间板，其在所述电极基板和所述半导体芯片之间，设置于所述第1焊料中，所述中间板的屈服强度在半导体装置的整个使用温度范围比所述电极基板及所述第1焊料的屈服强度大。
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