[发明专利]用于单侧蚀刻半导体衬底的装置和方法有效
| 申请号： | 201680072577.0 | 申请日： | 2016-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN108368636B | 公开（公告）日： | 2021-09-24 |
| 发明（设计）人： | S·瑞伯;K·席林格 | 申请（专利权）人： | 奈克斯沃夫有限公司 |
| 主分类号： | C25F3/12 | 分类号： | C25F3/12;H01L21/02;H01L21/67;H01L21/677;C25F7/00;H01M4/1395;H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京英创嘉友知识产权代理事务所(普通合伙) 11447 | 代理人： | 魏嘉熹;南毅宁 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于单侧蚀刻半导体层的装置，包括：至少一个用于容纳电解液的蚀刻池；第一电极，被设置成用于在使用时与位于蚀刻池中的电解液进行电接触；至少一个第二电极，被设置成用于间接或直接地电接触半导体层；至少一个电流源，用于导电地连接至第一电极和第二电极以便产生蚀刻电流；以及至少一个输送装置，用于相对于蚀刻池来输送半导体层，使得在使用时基本上只有半导体层的要被蚀刻的蚀刻侧才能够被位于蚀刻池中的电解液所润湿。本发明的特征在于，电流源被构造成可变电流源，并且该装置还具有用于控制可变电流源的控制单元，其中该装置被设计以便能够在蚀刻过程中通过控制单元的方式使得蚀刻电流能够被自动改变。本发明还涉及一种用于单侧蚀刻半导体层的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 蚀刻 半导体 衬底 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于单侧蚀刻半导体层的装置，包括：‑至少一个用于容纳电解液(3)的蚀刻池(1)，‑第一电极，所述第一电极被设置成用于在使用时电接触所述蚀刻池(1)中的电解液(3)，‑至少一个第二电极，所述至少一个第二电极被设置成用于间接或直接地电接触半导体层，‑至少一个电流源(9)，所述至少一个电流源(9)与所述第一电极和所述第二电极导电地连接，以便产生蚀刻电流，以及‑至少一个输送装置，用于相对于所述蚀刻池(1)来输送所述半导体层，使得在使用时基本上只有所述半导体层的要被蚀刻的蚀刻侧才被处于蚀刻池(1)中的电解液润湿，其特征在于，所述电流源(9)被构造成可变电流源(9)并且所述装置还具有用于控制所述可变电流源(9)的控制单元(10)，其中所述装置被构造成使得在蚀刻过程期间能通过所述控制单元(10)使得所述蚀刻电流自动改变。
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