[发明专利]具有超晶格结构的半导体晶体管在审
| 申请号： | 201680072531.9 | 申请日： | 2016-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN108770377A | 公开（公告）日： | 2018-11-06 |
| 发明（设计）人： | T·雅克;M·格里布;C·T·班茨哈夫;M·兰巴赫 | 申请（专利权）人： | 罗伯特·博世有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 郭毅 |
| 地址： | 德国斯*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 根据本发明提出一种晶体管(1)，其包括：第一掺杂类型的衬底(2)；所述衬底(2)上方的、所述第一掺杂类型的外延层(3)；所述外延层(3)上方的、与所述第一掺杂类型不同的第二掺杂类型的通道层(4)；所述通道层(4)中的多个沟槽(8)，所述沟槽具有位于所述沟槽(8)内部的栅电极(9)并且由所述通道层(4)上方的、所述第一掺杂类型的源极连接端(6)包围；布置在所述栅电极(9)下方的、所述第二掺杂类型的多个屏蔽区域(7)。根据本发明，所述屏蔽区域(7)在所述沟槽(8)下方彼此形成所述屏蔽区域(7)的复合体，并且为了接通，将多个屏蔽区域(7)共同引至用于所述屏蔽区域的连接端(19)。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂类型 屏蔽区域 通道层 外延层 栅电极 衬底 半导体晶体管 超晶格结构 源极连接 复合体 晶体管 连接端 接通 包围 | ||
【主权项】：
1.一种晶体管(1)，其包括：第一掺杂类型的衬底(2)；所述衬底(2)上方的、所述第一掺杂类型的外延层(3)；所述外延层(3)上方的、第二掺杂类型的通道层(4)，所述第二掺杂类型与所述第一掺杂类型不同；所述通道层(4)中的多个沟槽(8)，所述沟槽具有位于所述沟槽(8)内部的栅电极(9)并且由所述通道层(4)上方的、所述第一掺杂类型的源极连接端(6)包围；布置在所述栅电极(9)下方的、所述第二掺杂类型的多个屏蔽区域(7)；其特征在于，所述屏蔽区域(7)在所述沟槽(8)下方彼此形成所述屏蔽区域的复合体(30)，并且为了接通，多个屏蔽区域(7)被共同引至用于所述屏蔽区域的连接端(19)。
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