[发明专利]半导体元件的积层方法有效
| 申请号： | 201680053560.0 | 申请日： | 2016-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN108029204B | 公开（公告）日： | 2020-08-28 |
| 发明（设计）人： | 郑珉寿;庆有真;崔炳柱;郑遇载;崔宝允;李光珠 | 申请（专利权）人： | 株式会社LG化学 |
| 主分类号： | H05K3/46 | 分类号： | H05K3/46;H05K3/38;H05K3/20;H05K3/06;H05K3/18;H05K3/16;H01B3/30;H01B3/40;C08L101/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 苗堃;金世煜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及可以均匀地得到微小图案并可以在绝缘层与金属薄膜层之间具有优异的粘接可靠性的半导体元件的积层方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体元件的积层方法，其中，包括：在形成有电路的基板上形成形成有第1图案的固化性树脂绝缘层的步骤；用含有氟化合物的蚀刻液对形成有所述第1图案的固化性树脂绝缘层的表面进行预处理的步骤；以及在所述表面被预处理的固化性树脂绝缘层上形成金属薄膜层的步骤。
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