[发明专利]半导体元件的积层方法

权利要求书

1.一种半导体元件的积层方法，其中，包括：

在形成有电路的基板上形成形成有第1图案的固化性树脂绝缘层的步骤；

用氟化铵的水溶液对形成有所述第1图案的固化性树脂绝缘层的表面进行预处理的步骤；以及

在所述表面被预处理的固化性树脂绝缘层上形成金属薄膜层的步骤使得所述表面被预处理的固化性树脂绝缘层与所述金属薄膜层直接接触，

其中所述固化性树脂绝缘层由能够碱性显影的光固化及热固性粘合剂树脂组合物形成，所述粘合剂树脂组合物包含酸改性低聚物、光聚合性单体、热固性粘合剂树脂、任选的硅烷偶联剂、填料以及光引发剂，且所述粘合剂树脂组合物中的所述填料仅为无机填料，以及，

其中，形成形成有所述第1图案的固化性树脂绝缘层的步骤包括：

在形成有电路的基板上形成能够碱性显影的光固化及热固性粘合剂树脂层的步骤；

利用第1图案掩膜在所述粘合剂树脂层形成第1图案并进行碱性显影的步骤；以及

对所述粘合剂树脂层进行热固化的步骤。

2.根据权利要求1所述的半导体元件的积层方法，其中，所述酸改性低聚物包含具有羧基的能够聚合的单体与丙烯酸酯系单体的共聚物。

3.根据权利要求1所述的半导体元件的积层方法，其中，所述光聚合性单体包含多官能(甲基)丙烯酸酯系化合物。

4.根据权利要求1所述的半导体元件的积层方法，其中，所述热固性粘合剂树脂包含能够热固化的官能团，所述能够热固化的官能团为选自环氧基、氧杂环丁基、环状醚基以及环状硫醚基中的1种以上。

5.根据权利要求1所述的半导体元件的积层方法，其中，在形成有电路的基板上形成形成有第1图案的固化性树脂绝缘层的步骤之后且预处理之前，还包括去除胶渣的步骤。

6.根据权利要求1所述的半导体元件的积层方法，其中，所述氟化铵的水溶液以lw％至20w％的浓度使用。

7.根据权利要求1所述的半导体元件的积层方法，其中，所述预处理的步骤在15℃至80℃的温度下进行1至30分钟。

8.根据权利要求1所述的半导体元件的积层方法，其中，通过所述预处理的步骤，在所述固化性树脂绝缘层每1μm²形成20至200个直径为10nm至2μm的微小气孔。

9.根据权利要求1所述的半导体元件的积层方法，其中，通过所述预处理的步骤，所述固化性树脂绝缘层的表面粗糙度Rz以1μm以上形成。

10.根据权利要求1所述的半导体元件的积层方法，其中，通过所述预处理的步骤，所述固化性树脂绝缘层的表面粗糙度Rq以60nm以上形成。

11.根据权利要求1所述的半导体元件的积层方法，其中，所述形成金属薄膜层的步骤中采用化学镀或溅射。

12.根据权利要求1所述的半导体元件的积层方法，其中，所述金属薄膜层通过由第1图案形成的通孔形成各电路层间的电连接通道。

13.根据权利要求1所述的半导体元件的积层方法，其中，包括：

在形成所述金属薄膜层后，在金属薄膜层上形成形成有第2图案的感光性树脂层的步骤；

在通过所述感光性树脂层的第2图案露出的金属薄膜上蒸镀金属层的步骤；以及

去除所述形成有第2图案的感光性树脂层和未蒸镀金属层的金属薄膜层的步骤。