[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201680018331.5 | 申请日： | 2016-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN109952633B | 公开（公告）日： | 2022-05-27 |
| 发明（设计）人： | 小谷凉平;松原寿树;石塚信隆;三川雅人;押野浩 | 申请（专利权）人： | 新电元工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L21/336;H01L21/822;H01L27/04;H01L29/78;H01L29/866 |
| 代理公司： | 上海德昭知识产权代理有限公司 31204 | 代理人： | 郁旦蓉 |
| 地址： | 日本国东京都千*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 【课题】提供一种能够抑制过电压保护二极管的耐压变动的半导体装置及其制造方法。【解决手段】实施方式涉及的半导体装置1包括：导电性的半导体基板2；绝缘膜4，形成在半导体基板2上；过电压保护二极管5，形成在绝缘膜4上，并且其N型半导体层5a与P型半导体层5b邻接配置；以及绝缘膜15，覆盖过电压保护二极管5，其中，P型半导体层5b中P型掺杂物的浓度，比N型半导体层5a中N型掺杂物的浓度更低，P型掺杂物的浓度峰值位于界面区域F1与界面区域F2之间的非界面区域G上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：导电性的半导体基板；第一绝缘膜，形成在所述半导体基板上；齐纳二极管，形成在所述第一绝缘膜上，并且其N型半导体层与P型半导体层邻接配置；以及第二绝缘膜，覆盖所述齐纳二极管，其中，所述P型半导体层中P型掺杂物的浓度，比所述N型半导体层中N型掺杂物的浓度更低，所述P型掺杂物的浓度峰值位于：作为所述P型半导体层与所述第一绝缘膜之间的界面区域的第一界面区域，与作为所述P型半导体层与所述第二绝缘膜之间的界面区域的第二界面区域之间的非界面区域上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
