[发明专利]高功率的半导体装置的晶片金属化有效
| 申请号： | 201680006076.2 | 申请日： | 2016-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN107210280B | 公开（公告）日： | 2020-02-18 |
| 发明（设计）人： | I·德温耶;M·柯 | 申请（专利权）人： | 丹尼克斯半导体有限公司;株洲中车时代电气股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/482 | 分类号： | H01L23/482 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 过晓东 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于高电流密度应用的功率半导体装置，所述装置包括：形成在彼此顶部之上的多个半导体区域；形成在所述半导体区域之一的第一表面上方的接触层。所述接触层包括置于与所述半导体区域之一的所述第一表面直接接触的第一部分，和形成在绝缘区域上的第二部分，所述绝缘区域形成与所述半导体区域之一的所述第一表面直接接触。所述装置还包括第一金属层(230)，至少部分地形成在所述接触层的第二部分上；以及第二金属层(235)，至少部分地形成在所述第一金属层上。所述第一和第二金属层以这样的方式形成，所述接触层的第一部分和所述接触层的第二部分的至少一部分在所述功率半导体装置的包装过程期间不被加压。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体 装置 晶片 金属化 | ||
【主权项】：
一种用于高电流密度应用的功率半导体装置，所述装置包括：多个形成在彼此顶部之上的半导体区域；形成在所述半导体区域之一的第一表面上方的接触层，其中，所述接触层包括置于与所述半导体区域之一的所述第一表面直接接触的第一部分，和形成在绝缘区域上的第二部分，所述绝缘区域形成与所述半导体区域之一的所述第一表面直接接触；第一金属层，至少部分地形成在所述接触层的第二部分上；第二金属层，至少部分地形成在所述第一金属层上，其中，所述第一和第二金属层以这样的方式形成，所述接触层的第一部分和所述接触层的第二部分的至少一部分在所述功率半导体装置的包装过程期间不被加压。
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