[实用新型]半导体装置有效
| 申请号： | 201620734996.3 | 申请日： | 2016-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN205944065U | 公开（公告）日： | 2017-02-08 |
| 发明（设计）人： | 姜成根;元秋亨;金因瑞 | 申请（专利权）人： | 艾马克科技公司 |
| 主分类号： | H01L23/29 | 分类号： | H01L23/29;H01L23/31;H01L23/488;H01L21/98 |
| 代理公司： | 北京寰华知识产权代理有限公司11408 | 代理人： | 林柳岑,王兴 |
| 地址： | 美国亚利桑那州85*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体装置。本实用新型公开一种半导体装置，所述半导体装置能够通过增加用于形成输入/输出垫的区域而容易地增加所述输入/输出垫的数目，使得再分布层形成为延伸直到包封物。在一个实施例中，所述半导体装置包含再分布层；后段制程(BEOL)层，所述BEOL层电连接到再分布层；半导体裸片，所述半导体裸片电连接到所述BEOL层；氧化物层，所述氧化物层覆盖半导体裸片的一个表面；包封物，所述包封物包封氧化物层、半导体裸片、BEOL层以及再分布层的一个表面；以及导电凸块，所述导电凸块形成于再分布层的另一个表面上并且电连接到再分布层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，包括：再分布层；后段制程层，所述后段制程层电连接到所述再分布层；半导体层，所述半导体层包括集成电路并且电连接到所述后段制程层；顶部氧化物层，所述顶部氧化物层覆盖所述半导体层的顶表面；包封物，所述包封物至少部分地包封所述顶部氧化物层、所述半导体层、所述后段制程层、以及所述再分布层的顶表面；以及导电凸块，所述导电凸块形成于所述再分布层的底表面上并且电连接到所述再分布层。
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