[实用新型]半导体装置有效
申请号: | 201620733042.0 | 申请日: | 2016-07-12 |
公开(公告)号: | CN205944071U | 公开(公告)日: | 2017-02-08 |
发明(设计)人: | 李琼延;李泰勇;新闵哲;欧瑟门 | 申请(专利权)人: | 艾马克科技公司 |
主分类号: | H01L23/485 | 分类号: | H01L23/485 |
代理公司: | 北京寰华知识产权代理有限公司11408 | 代理人: | 林柳岑,王兴 |
地址: | 美国亚利桑那州85*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 半导体装置。作为非限制性实例,本实用新型的各种方面提供一种半导体装置,所述半导体装置包括衬底,其包含介电层;至少一个导电迹线和导电凸块衬垫,其形成于所述介电层的一个表面上;和保护层,其覆盖所述至少一个导电迹线和导电凸块衬垫,所述至少一个导电凸块衬垫具有通过所述保护层暴露的一端;和半导体裸片,其电连接到所述衬底的所述导电凸块衬垫。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
【主权项】:
一种半导体装置,其特征在于,包括:衬底,其具有顶部衬底侧和底部衬底侧;导电迹线,其具有顶部迹线侧、在所述顶部衬底侧上的底部迹线侧和在所述顶部迹线侧与所述底部迹线侧之间的侧向迹线侧;导电凸块衬垫,其具有顶部衬垫侧、在所述顶部衬底侧上的底部衬垫侧和在所述顶部衬垫侧与所述底部衬垫侧之间的侧向衬垫侧;以及介电层,其至少覆盖所述顶部迹线侧、所述侧向迹线侧和所述侧向衬垫侧的下部部分;其中所述顶部衬垫侧从所述介电层暴露,且所述导电凸块衬垫在垂直上比所述导电迹线厚。
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