[实用新型]半导体晶圆铝压焊点键合结构有效
| 申请号： | 201620348433.0 | 申请日： | 2016-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN205564735U | 公开（公告）日： | 2016-09-07 |
| 发明（设计）人： | 朱勇 | 申请（专利权）人： | 上海纪元微科电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/49 | 分类号： | H01L23/49;H01L23/492 |
| 代理公司： | 北京纽乐康知识产权代理事务所(普通合伙) 11210 | 代理人： | 杜忠福 |
| 地址： | 200435 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种半导体晶圆铝压焊点键合结构，至少包括键合于所述半导体晶圆上的铝层以及设置于所述铝层外的金属介质层，所述金属介质层从内向外依次包括镍层和钯层；所述镍层的厚度为3‑5μm，所述钯层的厚度为0.1‑0.3μm。本实用新型易于在半导体单晶圆铝压焊点上形成金属间化合物且不易形成柯肯德尔空洞。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 晶圆铝压焊点键合 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体晶圆铝压焊点键合结构，至少包括键合于所述半导体晶圆上的铝层以及设置于所述铝层外的金属介质层，其特征在于，所述金属介质层从内向外依次包括镍层和钯层；所述镍层的厚度为3‑5μm，所述钯层的厚度为0.1‑0.3μm。
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