[发明专利]肖特基二极管及其制造方法在审
| 申请号： | 201611258960.3 | 申请日： | 2016-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN108269860A | 公开（公告）日： | 2018-07-10 |
| 发明（设计）人： | 吴志伟;毛虹懿 | 申请（专利权）人： | 无锡华润华晶微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 | 代理人： | 林祥 |
| 地址： | 214028 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请提供一种肖特基二极管及其制造方法。本申请中，肖特基二极管，包括：衬底；具有第一导电类型的外延层，位于衬底之上；沟槽，位于外延层内；具有第二导电类型的注入区，位于沟槽底部的外延层中；且注入区与外延层的交界面形成PN结；肖特基接触结构，位于外延层和沟槽的表面；正面电极，位于肖特基接触结构之上。本申请的肖特基二极管，大幅度降低了正向压降，同时，降低了外延层的电阻率，进而降低了体电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 外延层 肖特基二极管 肖特基接触 注入区 衬底 申请 第一导电类型 导电类型 正面电极 正向压降 电阻率 交界面 体电阻 制造 | ||
【主权项】：
1.一种肖特基二极管，其特征在于，包括：衬底；具有第一导电类型的外延层，位于所述衬底之上；沟槽，位于所述外延层内；具有第二导电类型的注入区，位于所述沟槽底部的外延层中；且所述注入区与所述外延层的交界面形成PN结；肖特基接触结构，位于所述外延层和所述沟槽的表面；正面电极，位于所述肖特基接触结构之上。
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