[发明专利]肖特基二极管及其制造方法在审
| 申请号： | 201611258960.3 | 申请日： | 2016-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN108269860A | 公开（公告）日： | 2018-07-10 |
| 发明（设计）人： | 吴志伟;毛虹懿 | 申请（专利权）人： | 无锡华润华晶微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 | 代理人： | 林祥 |
| 地址： | 214028 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 外延层 肖特基二极管 肖特基接触 注入区 衬底 申请 第一导电类型 导电类型 正面电极 正向压降 电阻率 交界面 体电阻 制造 | ||
1.一种肖特基二极管，其特征在于，包括：
衬底；
具有第一导电类型的外延层，位于所述衬底之上；
沟槽，位于所述外延层内；
具有第二导电类型的注入区，位于所述沟槽底部的外延层中；且所述注入区与所述外延层的交界面形成PN结；
肖特基接触结构，位于所述外延层和所述沟槽的表面；
正面电极，位于所述肖特基接触结构之上。
2.根据权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型。
3.根据权利要求2所述的肖特基二极管，其特征在于，所述外延层为N型轻掺杂，所述注入区为P型重掺杂。
4.根据权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，所述肖特基接触结构的材料为金属硅化物，所述沟槽的表面上淀积的势垒金属通过退火及后处理方式形成所述金属硅化物。
5.根据权利要求4所述的肖特基二极管，其特征在于，所述势垒金属的厚度小于或者等于1微米。
6.根据权利要求1至5任一项所述的肖特基二极管，其特征在于，所述沟槽的深度小于或者等于10微米，所述沟槽的宽度小于或者等于10微米。
7.根据权利要求1至5任一项所述的肖特基二极管，其特征在于，所述衬底的电阻率小于或者等于0.01欧姆·厘米，所述外延层的电阻率范围为0.1欧姆·厘米～50欧姆·厘米。
8.一种肖特基二极管制造方法，其特征在于，包括：
在衬底上制备具有第一导电类型的外延层；其中，所述外延层位于所述衬底之上；
在所述外延层上制备沟槽；
在所述沟槽的底部制备具有第二导电类型的注入区，使所述注入区与所述外延层的交界面形成PN结；其中，所述注入区位于所述沟槽底部的外延层中；
在所述外延层和所述沟槽的表面区域制备肖特基接触结构；
在所述肖特基接触结构的表面上制备正面电极。
9.根据权利要求8所述的肖特基二极管制造方法，其特征在于，所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型。
10.根据权利要求9所述的肖特基二极管制造方法，其特征在于，所述外延层为N型轻掺杂，所述注入区为P型重掺杂。
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