[发明专利]半导体装置结构的形成方法在审
| 申请号： | 201611245999.1 | 申请日： | 2016-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN107170826A | 公开（公告）日： | 2017-09-15 |
| 发明（设计）人： | 王士玮;张家豪;罗文呈 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423;H01L21/306 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人： | 王芝艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体装置结构的形成方法被提供。此方法包括形成目标层于基板上，并且形成籽晶层于目标层上。此方法包括形成硬掩模层于籽晶层上，其中硬掩模层包括开口，以暴露出籽晶层的一部分。此方法包括形成导电层于开口中，其中导电层选择性地沉积于籽晶层上。此方法包括利用导电层作为掩模，以蚀刻目标层的一部分。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置结构的形成方法，包括：形成一目标层于一基板上；形成一籽晶层于该目标层上；形成一硬掩模层于该籽晶层上，其中该硬掩模层包括一开口暴露出该籽晶层的一部分；形成一导电层于该开口中，其中该导电层选择性地沉积于该籽晶层的该部分上；以及利用该导电层作为一掩模，以蚀刻该目标层的一部分。
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