[发明专利]半导体装置结构的形成方法

说明书

技术领域

本发明实施例涉及一种半导体装置结构，且特别涉及一种包括选择性沉积导电层的半导体装置结构的形成方法。

背景技术

半导体装置使用于各种电子应用中，例如个人电脑、行动电话、数码相机和其他电子设备。半导体装置通常通过以下方式而制造，包括在半导体基板上依序沉积绝缘或介电层、导电层及半导体层，使用光刻工艺图案化上述各材料层，藉以在其上形成电路组件及元件。许多集成电路通常制造于单一半导体晶片上，且通过沿着切割线在集成电路之间进行切割，以将各个晶粒(die)单一化。上述各个晶粒通常分别地封装于，例如，多芯片模块中或其他类型的封装中。

半导体制造技术包括许多的工艺，其中涉及复杂的物理和化学交互作用。光刻工艺是将掩模上的几何形状的图案转移到覆盖半导体晶片表面的感光材料(光致抗蚀剂)的薄层的工艺。随着特征尺寸缩小到越来越小的尺寸，光刻工艺逐渐成为集成电路制造工艺中更加敏感且关键的步骤。然而，目前仍有许多与光刻工艺相关的挑战存在。

虽然现有的光刻工艺及制造半导体装置结构的方法已普遍足以达成预期的目标，然而仍无法完全满足所有需求。

发明内容

本发明的一实施例提供一种半导体装置结构的形成方法，包括：形成目标层于基板上；形成籽晶层于目标层上；形成硬掩模层于籽晶层上，其中硬掩模层包括开口，以暴露出籽晶层的一部分；形成导电层于开口中，其中导电层选择性地沉积于籽晶层的上述暴露部分上；以及利用导电层作为掩模，以蚀刻目标层的一部分。

本发明的另一实施例提供一种半导体装置结构的形成方法，包括：形成栅极结构于基板上；形成源极/漏极结构于基板中，且相邻于栅极结构；形成第一介电层于栅极结构上；形成籽晶层于第一介电层上；形成第一硬掩模层于籽晶层上，其中第一硬掩模层具有多个开口；形成导电层于开口中；移除第一硬掩模层；以及利用导电层作为掩模，移除第一介电层的一部分，以形成沟槽于第一介电层中。

本发明的又一实施例提供一种半导体装置结构的形成方法，包括：形成籽晶层于基板上；形成硬掩模层于籽晶层上，其中硬掩模层具有开口；形成导电层于开口中，其中导电层并未形成于硬掩模层上；以及利用导电层作为掩模，蚀刻基板的一部分，以形成鳍式结构，其中鳍式结构延伸于基板之上。

附图说明

以下将配合所附附图详述本发明的实施例。应注意的是，依据在业界的标准做法，各种特征并未按照比例绘制且仅用以说明例示。事实上，可能任意地放大或缩小元件的尺寸，以清楚地表现出本发明的实施例的特征。

图1A-图1F绘示依据本发明的一些实施例的形成一半导体装置结构的各个工艺阶段的剖面示意图。

图2A-图2G绘示依据本发明的一些实施例的形成一半导体装置结构的各个工艺阶段的剖面示意图。

图3A-图3G绘示依据本发明的一些实施例的形成一半导体装置结构的各个工艺阶段的剖面示意图。

图4A-图4H绘示依据本发明的一些实施例的形成一半导体装置结构的各个工艺阶段的立体示意图。

附图标记说明：

100a、100b、100c、100d～半导体装置结构

102～基板

104～目标层

106～籽晶层

110～硬掩模层

111～开口

120～导电层

204～栅极介电层

206～栅极电极层

208～隔离结构

210～栅极结构

212～间隔物

214～源极/漏极结构

215～沟槽

218～第一导电层

220～接触结构

302～第一介电层

304～第二介电层

306～第二导电层

308～第一蚀刻停止层

314～第三介电层

318～第二蚀刻停止层

320～硬掩模层

324～第四介电层

335a～第一孔洞

335b～第二孔洞

345a～第一沟槽通孔结构

345b～第二沟槽通孔结构

350～扩散阻挡层

352～第三导电结构

360～内连线结构

408～隔离结构

410～鳍状结构

412～栅极介电层

414～栅极电极层

416～间隔物