[发明专利]半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201611216681.0 | 申请日： | 2016-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN107154431B | 公开（公告）日： | 2020-03-31 |
| 发明（设计）人： | 邓桔程;曾鸿辉;陈臆仁 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 半导体结构包括第一鳍、第二鳍、第一栅极、第二栅极、至少一个间隔件和绝缘结构。第一栅极存在于第一鳍上。第二栅极存在于第二鳍上。间隔件存在于第一栅极和第二栅极的至少一个的至少一个侧壁上。绝缘结构存在于第一鳍和第二鳍之间，其中，间隔件基本上不存在于绝缘结构与第一栅极和第二栅极的至少一个之间。本发明的实施例还涉及半导体结构的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包括：第一鳍；第二鳍；第一栅极，存在于所述第一鳍上；第二栅极，存在于所述第二鳍上；至少一个间隔件，存在于所述第一栅极和所述第二栅极的至少一个的至少一个侧壁上；以及绝缘结构，存在于所述第一鳍和所述第二鳍之间，其中，所述间隔件不存在于所述绝缘结构与所述第一栅极和所述第二栅极的所述至少一个之间。
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