[发明专利]半导体结构及其制造方法

说明书

半导体结构包括第一鳍、第二鳍、第一栅极、第二栅极、至少一个间隔件和绝缘结构。第一栅极存在于第一鳍上。第二栅极存在于第二鳍上。间隔件存在于第一栅极和第二栅极的至少一个的至少一个侧壁上。绝缘结构存在于第一鳍和第二鳍之间，其中，间隔件基本上不存在于绝缘结构与第一栅极和第二栅极的至少一个之间。本发明的实施例还涉及半导体结构的制造方法。

技术领域

本发明的实施例涉及半导体结构及其制造方法。

背景技术

双栅极金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)是将两个栅极结合到一个器件中的MOSFET。由于它们的包括从衬底延伸的薄“鳍”的结构，这些器件也称为鳍式场效应晶体管(FinFET)。可以使用MOSFET技术制造硅基FinFET。在具有位于其上面的绝缘层的衬底上制造FinFET，其中，薄“鳍”从衬底延伸，例如，蚀刻至衬底的硅层。在该垂直鳍中形成场效应晶体管(FET)的沟道。在鳍上方提供栅极(例如，包裹)。双栅极的益处在于，在沟道的两侧上存在栅极允许从沟道的两侧的栅极控制。FinFET的另一优势包括减小短沟道效应和更高的电流。其他FinFET构造可以包括三个或更多有效栅极。

发明内容

本发明的实施例提供了一种半导体结构，包括：第一鳍；第二鳍；第一栅极，存在于所述第一鳍上；第二栅极，存在于所述第二鳍上；至少一个间隔件，存在于所述第一栅极和所述第二栅极的至少一个的至少一个侧壁上；以及绝缘结构，存在于所述第一鳍和所述第二鳍之间，其中，所述间隔件不存在于所述绝缘结构与所述第一栅极和所述第二栅极的所述至少一个之间。

本发明的另一实施例提供了一种半导体结构，包括：至少一个鳍；至少一个栅极，存在于所述鳍上；至少一个隔离结构，邻近所述鳍存在；绝缘结构，存在于所述隔离结构上；以及至少一个绝缘层，存在于所述绝缘结构和所述隔离结构之间，其中，所述绝缘层和所述绝缘结构由不同的材料制成。

本发明的又一实施例提供了一种用于制造半导体结构的方法，所述方法包括：形成掩模层以覆盖第一鳍和第二鳍；图案化所述掩模层以在所述第一鳍和所述第二鳍之间形成间隙；在所述间隙中形成绝缘结构；在所述绝缘结构的相对两侧处形成第一栅极和第二栅极，其中，所述第一栅极和所述第二栅极分别至少部分地存在于所述第一鳍和所述第二鳍上。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各方面。应该注意，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1至图12是根据本发明的一些实施例的用于制造半导体结构的方法在各个阶段处的立体图。

具体实施方式

以下公开内容提供了许多用于实现所提供主题的不同特征的不同实施例或实例。下面描述了组件和布置的具体实例以简化本发明。当然，这些仅仅是实例，而不旨在限制本发明。例如，在以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接触形成的实施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之间可以形成额外的部件，从而使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实施例。此外，本发明可在各个实例中重复参考标号和/或字符。该重复是为了简单和清楚的目的，并且其本身不指示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。

而且，为便于描述，在此可以使用诸如“在…之下”、“在…下方”、“下部”、“在…之上”、“上部”等的空间相对术语，以描述如图所示的一个元件或部件与另一个(或另一些)元件或部件的关系。除了图中所示的方位外，空间相对术语旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。装置可以以其他方式定向(旋转90度或在其他方位上)，而本文使用的空间相对描述符可以同样地作相应的解释。