[发明专利]功率半导体装置及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201611190869.2 申请日: 2016-12-21
公开(公告)号: CN106898590A 公开(公告)日: 2017-06-27
发明(设计)人: 日野泰成;新井规由 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: H01L23/488 分类号: H01L23/488;H01L21/60
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 代理人: 何立波,张天舒
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 在功率半导体装置(1)处,IGBT(11a)的集电极电极通过接合材料(9)而与金属板(5)接合。二极管(11b)的阴极电极通过接合材料(9)而与金属板(5)接合。配线部件(15a)通过接合材料(13)而与IGBT(11a)的发射极电极接合。接合材料(13)由接合材料(13a)和接合材料(13b)构成。接合材料(13a)介于IGBT(11a)与配线部件(15a)之间。接合材料(13b)填充于在配线部件(15a)形成的通孔(16a)。接合材料(13b)到达接合材料(13a),与接合材料(13a)连接。
搜索关键词: 功率 半导体 装置 及其 制造 方法
【主权项】:
一种功率半导体装置,其具有:半导体元件,其包含第1功率元件,该第1功率元件具有相对的第1表面及第2表面;散热板,其包含第1导体板,该第1导体板与所述第1功率元件的所述第1表面接合;导体部,其包含第1配线部件,该第1配线部件与所述第1功率元件的所述第2表面接合而与所述第1功率元件电连接;接合材料,其包含第1接合材料及第2接合材料,该第1接合材料将所述第1功率元件的所述第1表面与所述第1导体板进行接合,该第2接合材料将所述第1功率元件的所述第2表面与所述第1配线部件进行接合;以及封装材料,其将所述半导体元件、所述导体部以及所述散热板进行封装,所述接合材料包含金属间化合物,所述第2接合材料具有:第1部分,其介于所述第1功率元件的所述第2表面与所述第1配线部件之间;以及第2部分,其贯穿所述第1配线部件而与所述第1部分连接。
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