[发明专利]测试结构及利用该测试结构监测探针针痕偏移的方法有效

专利信息
申请号: 201611190346.8 申请日: 2016-12-21
公开(公告)号: CN106783804B 公开(公告)日: 2019-07-26
发明(设计)人: 赵毅;瞿奇;陈玉立;彭飞;梁卉荣 申请(专利权)人: 武汉新芯集成电路制造有限公司
主分类号: H01L23/544 分类号: H01L23/544;G01R31/28
代理公司: 上海申新律师事务所 31272 代理人: 俞涤炯
地址: 430205 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明涉及集成电路测试技术领域,尤其涉及一种测试结构及利用该测试结构监测探针针痕偏移的方法。本发明的测试结构在常规的WAT(晶圆可接受测试)中引入一条新的测试结构,其金属焊盘数目N(N>=4)与要监测的探针卡针脚数目一致,通过在每个金属焊盘下面放置一个有源器件,将N(N>=4)个有源器件的栅极、源极、漏极和衬底并联起来分别接入4个不同的焊盘,通过量测焊盘下面不同位置的有源器件的饱和电流,实现实时监测探针针脚的偏移情况。
搜索关键词: 测试 结构 利用 监测 探针 偏移 方法
【主权项】:
1.一种测试结构,应用于晶圆可接收测试,所述测试结构设置于晶圆中,所述晶圆包括多层金属层,所述测试结构包括多个金属焊盘和多个有源器件,每个所述金属焊盘下方对应设置一个所述有源器件,以形成CUP结构;其特征在于,所有的所述CUP结构中所述有源器件的栅极通过第一连接线路并联接入一第一焊盘,源极通过第二连接线路并联接入一第二焊盘,漏极通过第三连接线路并联接入一第三焊盘,衬底通过第四连接线路并联接入一第四焊盘,其中,所有的所述CUP结构的金属布线设置于所述晶圆的同一金属层中。
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