[发明专利]测试结构及利用该测试结构监测探针针痕偏移的方法

权利要求书

1.一种测试结构，应用于晶圆可接收测试，所述测试结构设置于晶圆中，所述晶圆包括多层金属层，所述测试结构包括多个金属焊盘和多个有源器件，每个所述金属焊盘下方对应设置一个所述有源器件，以形成CUP结构；其特征在于，

所有的所述CUP结构中所述有源器件的栅极通过第一连接线路并联接入一第一焊盘，源极通过第二连接线路并联接入一第二焊盘，漏极通过第三连接线路并联接入一第三焊盘，衬底通过第四连接线路并联接入一第四焊盘，其中，所有的所述CUP结构的金属布线设置于所述晶圆的同一金属层中。

2.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述金属焊盘的个数大于等于四，以使形成的所述CUP结构的个数大于等于四。

3.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述有源器件为MOS晶体管。

4.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述第一焊盘至所述第四焊盘设置于所述晶圆的顶层金属层上，所述第一连接线路至所述第四连接线路通过所述CUP结构的金属布线与所述晶圆的各金属层连接形成。

5.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述金属焊盘的材质为铝；和/或

所述第一焊盘至所述第四焊盘的材质为铝。

6.一种监测探针针痕偏移的方法，其特征在于，基于如权利要求1-5任意一项所述的测试结构，所述方法包括：

提供一探针卡，所述探针卡上设置有多个探针；

将所述探针与所述第一至第四焊盘接触，以量测并联的所述有源器件的饱和电流；

将一监测统计单元与所述多个探针连接，当所述监测统计单元接收到的所述饱和电流小于阈值时，判断所述探针发生偏移。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述阈值为并联的所述有源器件的饱和电流阈值。

8.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述探针的个数与所述金属焊盘的个数相同。

9.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述监测统计单元为统计过程控制系统。