[发明专利]半导体元件及其制作方法

摘要

本发明公开一种半导体元件及其制作方法。该半导体元件包含有一基底，该基底内定义有至少一存储器区域，其内包含有多个存储单元。该半导体元件还包含多个第一连接结构、多个第二连接结构、多个分别设置于该多个第二连接结构上的第一存储电极、以及多个分别设置于该多个第一连接结构上的虚设电极。该多个第一连接结构分别包含有一导电部分与一第一金属部分，该多个第二连接结构分别包含有该导电部分与一第二金属部分，该第一金属部分与该第二金属部分包含相同的材料，且该第一金属部分与该第二金属部分的高度不同。

主权项

1.一种半导体元件，包含有：基底，该基底内定义有至少一存储器区域，且该存储器区域内包含有多个存储单元；多个第一连接结构，设置于该存储器区域内的该基底上，该多个第一连接结构分别包含有一导电部分与一第一金属部分，且该导电部分夹设于该第一金属部分与该基底之间；多个第二连接结构，设置于该存储器区域内的该基底上，且与该多个存储单元电连接，该多个第二连接结构分别包含有该导电部分与一第二金属部分，该导电部分夹设于该第二金属部分与该基底之间，该第一金属部分与该第二金属部分包含相同的材料，且第一金属部分与该第二金属部分的高度不同；多个第一存储电极，分别设置于该多个第二连接结构上；以及多个虚设电极，分别设置于该多个第一连接结构上。