[发明专利]半导体元件及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体元件，包含有：

基底，该基底内定义有至少一存储器区域，且该存储器区域内包含有多个存储单元；

多个第一连接结构，设置于该存储器区域内的该基底上，该多个第一连接结构分别包含有一导电部分与一第一金属部分，且该导电部分夹设于该第一金属部分与该基底之间；

多个第二连接结构，设置于该存储器区域内的该基底上，且与该多个存储单元电连接，该多个第二连接结构分别包含有该导电部分与一第二金属部分，该导电部分夹设于该第二金属部分与该基底之间，该第一金属部分与该第二金属部分包含相同的材料，且第一金属部分与该第二金属部分的高度不同；

多个第一存储电极，分别设置于该多个第二连接结构上；以及

多个虚设电极，分别设置于该多个第一连接结构上。

2.如权利要求1所述的半导体元件，其中该多个存储单元分别包含一埋藏式栅极，埋设于该基底内。

3.如权利要求1所述的半导体元件，其中该导电部分包含有半导体层以及金属硅化物层。

4.如权利要求3所述的半导体元件，其中该半导体层包含有外延硅层或非晶硅层。

5.如权利要求1所述的半导体元件，其中该第二金属部分还包含连接垫。

6.如权利要求5所述的半导体元件，其中该多个第一存储电极与该多个第二连接结构的该连接垫实体与电连接。

7.如权利要求1所述的半导体元件，其中该多个虚设电极与该多个第一连接结构的该第一金属部分实体与电连接。

8.如权利要求1所述的半导体元件，其中该多个虚设电极的底部表面低于该多个第一存储电极的底部表面。

9.如权利要求1所述的半导体元件，其中该基底还定义有一周边区域，该多个第一连接结构设置于该周边区域与第二连接结构之间，且该多个虚设电极设置于该周边区域与该第一存储电极之间。

10.如权利要求1所述的半导体元件，还包含多个第二存储电极，分别设置于该存储器区域内的该多个第一连接结构上。

11.如权利要求10所述的半导体元件，其中该多个第一连接结构分别与该多个存储单元以及该多个第二存储电极电连接。

12.如权利要求11所述的半导体元件，其中该多个第二存储电极的底部表面低于该多个第一存储电极的底部表面。

13.一种半导体元件的制作方法，包含有：

提供一基底，该基底内定义有至少一存储器区域，且该存储器区域内包含有多个存储单元；

在该基底上形成一绝缘层；

在该绝缘层内形成多个开口，该多个开口分别暴露出部分该存储单元；

分别在该多个开口内依序形成一导电部分与一金属层；

移除部分该金属层，以形成多个第一金属部分与多个第二金属部分，该第一金属部分与该导电部分形成一第一连接结构，且该第二金属部分与该导电部分形成一第二连接结构；

在该多个第一连接结构上形成一平坦层；以及

在该基底上形成多个第一存储电极与多个虚设电极，该多个虚设电极电连接至该多个第一连接结构，该多个第一存储电极电连接至该多个第二连接结构。

14.如权利要求13所述的制作方法，其中该多个存储单元分别包含一埋藏式栅极，埋设于该基底内。

15.如权利要求13所述的制作方法，其中该导电部分包含有半导体层与金属硅化物层。

16.如权利要求13所述的制作方法，其中该多个第一存储电极与该多个第二连接结构的该第二金属部分实体与电连接，该多个虚设电极与该多个第一连接结构的该第一金属部分实体与电连接。