[发明专利]光子增强的场效应晶体管和集成电路在审
| 申请号： | 201611127750.0 | 申请日： | 2016-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN108615800A | 公开（公告）日： | 2018-10-02 |
| 发明（设计）人： | 王敬;陈文捷;梁仁荣 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L33/26 | 分类号： | H01L33/26;H01L33/06;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 张润 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种光子增强的场效应晶体管和集成电路，其中该光子增强的场效应晶体管包括：半导体层；源区和漏区，源区设置在半导体层之中或半导体层之上，漏区设置在半导体层之中或半导体层之上；形成在半导体层之上的栅结构；形成在半导体层之上的发光结构，其中，发光结构位于栅结构和源区之间，和/或位于栅结构和漏区之间，发光结构用于产生光子以激发半导体层中的电子‑空穴对。本发明的光子增强的场效应晶体管和集成电路，将发光结构设置在沟道中且位于栅结构和漏区之间，和/或位于栅结构和源区之间，由于发光结构靠近沟道，可以有效传输光子到器件有源区，激发电子‑空穴对，在不影响器件关态电流的前提下，利用光照极大地改善器件的导通电流。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体层 光子 发光结构 栅结构 场效应晶体管 漏区 源区 集成电路 空穴 沟道 器件有源区 导通电流 关态电流 影响器件 有效传输 激发 光照 | ||
【主权项】：
1.一种光子增强的场效应晶体管，其特征在于，包括：半导体层；源区和漏区，所述源区设置在所述半导体层之中或所述半导体层之上，所述漏区设置在所述半导体层之中或所述半导体层之上；形成在所述半导体层之上的栅结构；形成在所述半导体层之上发光结构，其中，所述发光结构位于所述栅结构和所述源区之间，和/或位于所述栅结构和所述漏区之间，所述发光结构用于产生光子以激发所述半导体层中的电子‑空穴对。
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